公开(公告)号：CN104393372A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410632331.7

申请日：2014-11-11

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 常超 ,  李爽 ,  孙钧 ,  郭乐田 ,  武晓龙 ,  谢佳玲

IPC: H01P1/08

Abstract: 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质表面为周期性介质表面，磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于介质表面。本发明的方法通过采用周期性介质表面，并在周期性介质表面施加磁场的手段，使得在不同电场条件下，本发明的方法都能够对介质表面二次电子的倍增起到一定的抑制效果，并且随着电场场强的提高，抑制效果更好。

公开(公告)号：CN104167585A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410369985.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 常超 ,  郭乐田 ,  孙钧 ,  肖仁珍 ,  武晓龙

IPC: H01P5/16

Abstract: 本发明涉及一种微波功率分配器、微波功率合成器和微波功率分配合成器，上述微波功率分配器包括：第一圆波导，接收微波并将微波传输至第三圆波导；第二圆波导，与第三圆波导相连，并维持短路状态；第三圆波导，与第一矩波导、第二矩波导和第三矩波导相连，将接收到的微波转换为功率相等、相位相同的两束微波，分别传输至第一矩波导和第二矩波导；其中，第一圆波导、第二圆波导和第三圆波导为TM01模式圆波导，且共轴线，第一矩波导、第二矩波导和第三矩波导为TE10模式矩波导，且夹角均为120°，第三矩波导维持短路状态。通过本发明的技术方案，能够提高波导微波合成过程中的功率容量，并保证较高的隔离度，以及降低反射系数，提高微波合成的效果。

公开(公告)号：CN104393372B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410632331.7

申请日：2014-11-11

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 常超 ,  李爽 ,  孙钧 ,  郭乐田 ,  武晓龙 ,  谢佳玲

IPC: H01P1/08

Abstract: 本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法，所述方法包括：根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点，确定磁场的回旋频率，二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定；根据磁场的回旋频率，在介质表面施加磁场，介质表面为周期性介质表面，磁场满足：磁场的磁力线平行；磁场的回旋频率在预设范围内均匀；磁场的方向垂直于横磁电磁场模式的法向电场方向、平行于横磁电磁场模式的切向电场方向以及平行于介质表面。本发明的方法通过采用周期性介质表面，并在周期性介质表面施加磁场的手段，使得在不同电场条件下，本发明的方法都能够对介质表面二次电子的倍增起到一定的抑制效果，并且随着电场场强的提高，抑制效果更好。

公开(公告)号：CN104134833A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410374213.0

申请日：2014-07-31

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 常超 ,  刘彦升 ,  黄文华 ,  李爽 ,  武晓龙 ,  郭乐田 ,  陈昌华

IPC: H01P1/08

Abstract: 本发明属于高功率微波(HPM)技术领域，本发明公开了一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗，所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。本发明具有三维周期性函数表面的介质窗，周期性函数表面就像是海平面起伏的波纹一样，其抑制二次电子倍增的原理是：将电子约束在单元函数曲面结构内，通过微波电场力自身提供的回复力作用，改变倍增电子轨迹、渡越时间，减小电子在函数曲面侧壁的碰撞能量，使其小于二次产额曲线的第一交叉点。同时，电子渡越时间远小于微波半周期，实现二次电子倍增在函数曲面侧壁被抑制。

公开(公告)号：CN104167585B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410369985.5

申请日：2014-07-30

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 常超 ,  郭乐田 ,  孙钧 ,  肖仁珍 ,  武晓龙

IPC: H01P5/16

Abstract: 本发明涉及一种微波功率分配器、微波功率合成器和微波功率分配合成器，上述微波功率分配器包括：第一圆波导，接收微波并将微波传输至第三圆波导；第二圆波导，与第三圆波导相连，并维持短路状态；第三圆波导，与第一矩波导、第二矩波导和第三矩波导相连，将接收到的微波转换为功率相等、相位相同的两束微波，分别传输至第一矩波导和第二矩波导；其中，第一圆波导、第二圆波导和第三圆波导为TM01模式圆波导，且共轴线，第一矩波导、第二矩波导和第三矩波导为TE10模式矩波导，且夹角均为120°，第三矩波导维持短路状态。通过本发明的技术方案，能够提高波导微波合成过程中的功率容量，并保证较高的隔离度，以及降低反射系数，提高微波合成的效果。

公开(公告)号：CN104134833B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410374213.0

申请日：2014-07-31

Applicant: 西北核技术研究所

Inventor： 常超 ,  刘彦升 ,  黄文华 ,  李爽 ,  武晓龙 ,  郭乐田 ,  陈昌华

IPC: H01P1/08

Abstract: 本发明属于高功率微波(HPM)技术领域，本发明公开了一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗，所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。本发明具有三维周期性函数表面的介质窗，周期性函数表面就像是海平面起伏的波纹一样，其抑制二次电子倍增的原理是：将电子约束在单元函数曲面结构内，通过微波电场力自身提供的回复力作用，改变倍增电子轨迹、渡越时间，减小电子在函数曲面侧壁的碰撞能量，使其小于二次产额曲线的第一交叉点。同时，电子渡越时间远小于微波半周期，实现二次电子倍增在函数曲面侧壁被抑制。