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公开(公告)号：CN105576888B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201511016594.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及微波仪器技术领域，尤其涉及一种应用于高功率快速移相器的密封装置，包括驱动组件、传动组件、密封组件和外壳，外壳底部与双圆极化器的波导管连接；驱动组件位于外壳顶部；传动组件位于外壳内部，传动组件包括连接杆，连接杆一端与驱动组件连接，另一端穿出外壳底部与扼流活塞连接，以在驱动组件的驱动下带动扼流活塞移动；密封组件设置于连接杆的外侧且与外壳底部连接，以保证在扼流活塞移动时移相器的中扼流活塞与双圆极化器连接的气密性。使扼流活塞与双圆极化器顶部圆波导组成的高频率快速移相器内形成不低于10‑2pa的高真空度，满足在保证良好气密性的同时能够实现高运动速度和高移相精度的要求，也极大的提高了移相器的功率容量。
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公开(公告)号：CN105576888A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511016594.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 西北核技术研究所
CPC classification number: H02K7/06 , F16J15/16 , F16J15/162 , H01P1/18
Abstract: 本发明涉及微波仪器技术领域，尤其涉及一种应用于高功率快速移相器的密封装置，包括驱动组件、传动组件、密封组件和外壳，外壳底部与双圆极化器的波导管连接；驱动组件位于外壳顶部；传动组件位于外壳内部，传动组件包括连接杆，连接杆一端与驱动组件连接，另一端穿出外壳底部与扼流活塞连接，以在驱动组件的驱动下带动扼流活塞移动；密封组件设置于连接杆的外侧且与外壳底部连接，以保证在扼流活塞移动时移相器的中扼流活塞与双圆极化器连接的气密性。使扼流活塞与双圆极化器顶部圆波导组成的高频率快速移相器内形成不低于10-2pa的高真空度，满足在保证良好气密性的同时能够实现高运动速度和高移相精度的要求，也极大的提高了移相器的功率容量。
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公开(公告)号：CN104134833B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410374213.0
申请日：2014-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明属于高功率微波(HPM)技术领域，本发明公开了一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗，所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。本发明具有三维周期性函数表面的介质窗，周期性函数表面就像是海平面起伏的波纹一样，其抑制二次电子倍增的原理是：将电子约束在单元函数曲面结构内，通过微波电场力自身提供的回复力作用，改变倍增电子轨迹、渡越时间，减小电子在函数曲面侧壁的碰撞能量，使其小于二次产额曲线的第一交叉点。同时，电子渡越时间远小于微波半周期，实现二次电子倍增在函数曲面侧壁被抑制。
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公开(公告)号：CN104134833A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410374213.0
申请日：2014-07-31
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明属于高功率微波(HPM)技术领域，本发明公开了一种提高真空侧功率容量的高功率微波介质窗，所述高功率微波介质窗的表面是由若干个曲面周期性结构单元构成的表面。本发明具有三维周期性函数表面的介质窗，周期性函数表面就像是海平面起伏的波纹一样，其抑制二次电子倍增的原理是：将电子约束在单元函数曲面结构内，通过微波电场力自身提供的回复力作用，改变倍增电子轨迹、渡越时间，减小电子在函数曲面侧壁的碰撞能量，使其小于二次产额曲线的第一交叉点。同时，电子渡越时间远小于微波半周期，实现二次电子倍增在函数曲面侧壁被抑制。
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