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公开(公告)号：CN116606149A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310572227.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/591 , C23C16/34 , C30B35/00 , C30B29/06 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明涉及多晶硅铸锭技术领域，具体涉及一种高强高纯氮化硅坩埚及其制备方法和应用。本发明采用反应烧结结合化学气相沉积法制备氮化硅坩埚，解决现有反应烧结制备的氮化硅坩埚中，因具有杂质导致的不适合应用于硅晶制备的技术问题。本发明采用化学气相沉积法制备高纯度Si3N4涂层，通过采用此涂层作为坩埚内层，以阻隔氮化硅陶瓷基体中杂质的扩散，避免单晶硅生产中基体内的杂质与硅进行反应。反应烧结的氮化硅基体具有较高的强度，而且CVD Si3N4纯度高无杂质，二者结合后所制备的氮化硅坩埚能够很好地满足单晶硅的制备要求，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN113929846A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111232998.4
申请日：2021-10-22
Applicant: 西北工业大学
IPC: C08G8/20
Abstract: 本发明涉及一种高成碳率水溶性酚醛树脂及制备方法，以高官能度的酚和甲醛为主要原料，以碱性物质为催化剂，在特定制备工艺条件下经聚合反应制备得到高成碳率水溶性酚醛树脂。本发明的高成碳率水溶性酚醛树脂具有更高的热解成碳率(900℃下，热解成碳率＞70％)，高的热解产物质量稳定性(1500℃下，热解成碳率＞69％)，低的杂质含量以及良好的水混合性，使其成为满足航空航天领域热端环境下防热耐烧蚀材料的极佳候选材料。此外，本发明的高成碳率水溶性树脂制备方法具有工艺简单，生产成本低廉，环境污染小的特点，便于生产者实现规模化生产，在军用和民用领域均具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN113611435A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110944768.4
申请日：2021-08-17
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及核电技术领域，具体涉及一种陶瓷复合燃料芯块及其制备方法和应用，本发明采用3D打印结合化学气相沉积工艺，制得了陶瓷复合燃料芯块，并将其应用于制备高温气冷堆的核燃料芯块中。陶瓷复合燃料芯块由如下重量百分比的原料制成：高纯碳化硅陶瓷料5‑30％，包覆燃料颗粒10‑50％，树脂10‑50％，有机溶剂10‑40％，稳定剂1‑10％，各原料重量百分比之和为100％。本发明为高温气冷堆提供一种全新的、具有连续通道的陶瓷复合燃料芯块，芯块通过将包覆燃料颗粒复合到陶瓷骨架中，具有更为优异的热效率、更均匀的热场，结构可设计性强，制造工艺路线简单、成本低，同时有望使高温气冷堆堆芯结构得到简化，并可大幅降低系统体积和结构重量。
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公开(公告)号：CN113402298A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110752716.7
申请日：2021-07-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/81
Abstract: 本发明涉及一种用于碳化硅陶瓷基复合材料表层损伤的修复剂及修复方法，合理比例的固态聚碳硅烷、二甲苯、碳化锆粉、碳化硅粉和碳化硅晶须，形成了粘度适中的液态物质。该修复剂的化学成分能够在自然环境下快递形成与碳化硅陶瓷基复合材料具有良好物理化学相容性的修复层。该修复剂的配制和施工过程可在损伤构件的现场进行在线操作。使用这种修复剂修复表面损伤后，可在损伤区形成与碳化硅陶瓷基复合材料本体具有良好物理化学相容性的修复层，其结合强度高，耐温性高。合理的修复工艺参数和合理比例的固态聚碳硅烷、二甲苯、碳化锆粉、碳化硅粉和碳化硅晶须的配合，使修复层的使用温度范围为‑120～1400℃，短时可达1650℃。
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公开(公告)号：CN109704798A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910020313.6
申请日：2019-01-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗RMI制备C/SiC-Diamond复合材料的方法，以金刚石作为高热导相，通过真空浸渍的方法将配置好的金刚石浆料引入到已经用CVI法沉积至半致密的C/SiC多孔预制体中，最后用RMI法完成对C/SiC-Diamond复合材料的致密化工作。该方法可解决C/SiC-Diamond复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题，而且可以有效提高Diamond与SiC的界面结合强度，从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105461337B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510846880.9
申请日：2015-11-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，步骤如下：将预制体在石墨炉中进行界面层沉积；通过化学气相渗透法对预制体进行致密化处理，预制体的相对密度达到30％～70％后取出；利用超短脉冲激光对复合材料进行超精细微孔加工，从而疏通气态先驱体的传输通道；循环沉积，获得高致密度陶瓷基复合材料。优点：(1)改善沉积过程中预制体孔隙结构，解决沉积的瓶颈效应，提高复合材料均匀性和致密度；(2)提高复合材料的强度；(3)缩短沉积时间。
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公开(公告)号：CN105347799B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510863881.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，采用一次成型大粒径金刚石预制体与CVI工艺结合的方法，制得Diamond/SiC复合材料。采用该方法提高了复合材料中金刚石的粒径和体积含量，从而有效的提高了复合材料的热导率。使得热导率较之流延结合CVI方法制备的复合材料提高约30％。不仅如此，该方法生产工艺简单、可控，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103724014B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310739082.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高热导金刚石掺杂SiC陶瓷的制备方法，利用流延法结合化学气相沉积方法向金刚石多孔预制体中沉积基体碳化硅。首先配置好不同粒径(7～50μm)的金刚石浆料进行流延实验，然后将流延好的金刚石颗粒和聚乙烯醇缩丁醛组成的基片室温干燥后备用。然后放置入CVI沉积炉，沉积基体碳化硅后得到的金刚石/碳化硅基片进行下一步在其表面的反复流延和沉积。最后，得到了金刚石/碳化硅复合材料试样。制备得到的金刚石/碳化硅复合材料为金刚石和碳化硅双相、无其他杂质，金刚石在复合材料中分布均匀且与基体金刚石结合良好。
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公开(公告)号：CN103143841B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310075471.4
申请日：2013-03-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: B23K26/384 , B23K26/60
Abstract: 一种利用皮秒激光加工孔的方法，根据纤维复合材料的特点，结合皮秒激光极高的峰值功率使其对材料无选择性的加工特征，在CMC-SiC材料上实现孔加工。本发明通过分布加工的方式，在碳化硅陶瓷基复合材料上逐层加工出圆孔或方孔，加工中，无需考虑微小裂纹的影响，稳定性较好，尤其适用于大批量重复性微孔加工。当加工圆孔时，以螺旋状路径逐层加工。当加工方孔时，以线性扫描路径逐层加工。本发明具有加工工艺稳定性好、可设计性强、精度高等优点。
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公开(公告)号：CN115368161B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210525130.1
申请日：2022-05-14
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/80 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种本发明提出的一种多级结构的氮化硅泡沫陶瓷及通过渗硅氮化原位生长晶须或纳米线结合CVI工艺制备方法，首先采用有机泡沫浸渍法将聚氨酯海绵裹浆形成泡沫陶瓷粗坯，然后在高温下通过渗硅氮化反应在粗坯孔壁和孔中生成Si3N4纳米线或棒状晶须，得到多级结构泡沫陶瓷预制体，最后采用化学气相渗透法在预制体骨架和纳米线、晶须表面制备Si3N4基体实现连接和增密，由此获得多级结构Si3N4泡沫陶瓷。本发明制备的结构功能一体化新型多级结构Si3N4泡沫陶瓷，骨架和孔隙结构特征协同实现了优良的耐高温、力学性能、隔热性能和透波性能。
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