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公开(公告)号：CN118656702A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410866281.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F18/241 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/25
Abstract: 本公开公开了基于双视角CNN‑Transformer和外部注意力机制的心电信号分类方法，涉及数据处理技术领域，对心电信号数据分割，得到预设数量的心电信号段；基于心跳视角的算法计算心电信号段的池化后第一注意力特征图并提取心电信号段的第一空间特征进行融合，得到第一融入外部注意力的空间特征并提取到心电信号段时空特征；将预设数量的心电信号段时空特征合并，得到第一时空特征；基于记录视角的算法提取心电信号数据的第二空间特征，并计算心电信号的连续相邻心跳波形间隔变化的第四注意力特征图进行融合；得到第二融入外部注意力的空间特征并提取到第二时空特征；将第一时空特征和第二时空特征进行融合，并根据融合结果进行分类，得到心电信号数据的分类结果。
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公开(公告)号：CN116926665A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310548688.6
申请日：2023-05-16
Applicant: 西北工业大学 , 深圳翱翔锐影科技有限公司
Abstract: 本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。未经过本发明处理的生长源通过近空间升华法长时间加热生长只会得到多晶膜，而采用本发明处理后的生长源由于预蒸发过程会去除生长源表面的损伤层会得到更大单晶面积的外延单晶膜。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。
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公开(公告)号：CN116632107A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310549237.4
申请日：2023-05-16
Applicant: 西北工业大学 , 深圳翱翔锐影科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提供了快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法。该快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法包括以下步骤：S1、CdZnTe生长源的预处理，选择合格的CdZnTe生长源，并对CdZnTe生长源进行预处理动作；S2、CdZnTe薄膜的生长，设置生长参数在衬底上进行生长动作；S3、CdZnTe薄膜的划片处理，将经过所述步骤S2生长后的CdZnTe薄膜经行划片处理；S4、CdZnTe薄膜退火，将经过划片处理的CdZnTe薄膜进行退火处理；S5、探测器制备，其中，本发明通过各个步骤的配合优化了金半接触特性，减少了生长时间，获得了光响应特性优异的CdZnTe成像探测器。
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公开(公告)号：CN116487484A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310561567.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 西北工业大学 , 深圳翱翔锐影科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提供了新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。该新型结构的CdZnTe探测器的制备方法包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd0.9‑0.8Zn0.1‑0.2Te，对CdZnTe膜进行生长处理；S5、CdZnTe阻挡层的生长程序的设置，对CdZnTe阻挡层生长温度和时间参数进行设置；S6、CdZnTe阻挡层生长，采用多晶源Cd0.8‑0.5Zn0.2‑0.5Te，对CdZnTe阻挡层进行生长处理；S7、CdZnTe探测器的制备，本发明的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法通过各个步骤的相互配合，外延膜表面增加阻挡层，减小离子注入，提高膜的电阻率，减小漏电流，降低噪声，提高探测器的能量分辨率，载流子迁移率寿命积。
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