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公开(公告)号：CN115354397A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210813798.6
申请日：2022-07-11
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种大面积二维单晶及制备方法，包括使用Bi2Te3粉末和氧气作为制备β‑Bi2Te4O11单晶的反应前驱体；使用氟金云母片作为衬底，通过套管法构造前驱体差异浓度场；采用石英管式炉优化升温程序制备出边长达到100μm以上的正方形β‑Bi2Te4O11单晶,厚度可以达到纳米级别。本发明制备的二维β‑Bi2Te4O11单晶符合化学计量比，晶体缺陷少。以二维β‑Bi2Te4O11单晶制备的375nm近紫外光探测器，其暗态电流低于10‑12A，电流开关比达到105以上，光响应度达到79.5A/W，探测度可达1.9×1012Jones。
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公开(公告)号：CN112354548A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202010990930.1
申请日：2020-09-19
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种高效率肖特基结光催化剂BiOBr/C及制备方法，利用CVD方法，采用自行搭建的石英管式炉，在亲水型碳纤维表面生长二维层状BiOBr纳米片，从而制备一种高效率肖特基结光催化剂BiOBr/C。这种方法制备的BiOBr纳米片厚度更薄，含有氧离子空位缺陷。相对于块体BiOBr，二维BiOBr纳米片导带底上移至‑0.8eV，热力学上具有了产氢的能力。同时，BiOBr/C中存在的肖特基势垒促使BiOBr光生电子转移至碳纤维中，大大降低了光生载流子的复合。在可见光下，BiOBr/C肖特基结光催化剂具有很好的光催化产氢性能，其催化产氢速率最高可达2850μmol/(g·h)。
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公开(公告)号：CN111391445A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010263924.6
申请日：2020-04-07
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及功能性膜领域，尤其涉及一种光致变色膜，包括PVC膜，WO3-TiO2-ZnO复合薄膜，包括基底PVC膜，覆面PVC膜，在基底PVC膜上采用匀胶机旋涂粘接有一层WO3-TiO2-ZnO复合薄膜，覆面PVC膜的一个面覆盖粘接在复合薄膜层上，覆面PVC膜的另一个面上粘接设有PE保护膜。还提供光致变色膜的制备方法，包括WO3-TiO2-ZnO复合溶胶的制备步骤、基底PVC膜清洗步骤、复合溶胶旋涂在基底PVC膜上的步骤及粘接覆面PVC膜步骤。本发明成本低、安装使用更灵活、更为节能，只需要将我们的变色膜像手机贴膜一样张贴在所需场所的玻璃制品上面就可以满足人们的需求，具有良好的光致变色可逆性。
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公开(公告)号：CN116988027A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311059379.9
申请日：2023-08-22
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种多功能M‑C/G复合涂层、制备方法及应用，采用一种多点共溅射的方法在金属衬底表面先制备一种M‑C(M指Cr、Ti、Nb等金属)混合涂层，再采用负偏压溅射方法在M‑C涂层表面制备一层超薄、平整的G(G指Au、Pd、Pt等贵金属)纳米涂层，形成一种M‑C/G复合涂层。采用此方法制备的M‑C/G复合涂层具有多功能特性，即不仅具有优异的耐腐蚀性，还具有优良的导电特性和疏水特性，满足美国能源部提出的DOE技术指标，可以作为一种商业化应用的金属双极板表面改性方案。
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公开(公告)号：CN116605907A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310521882.5
申请日：2023-05-10
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种精准转移大面积二维材料的方法。在生长有二维材料的氟晶云母片上旋涂PMMA，和两层PVA的梯度高分子膜；采用丙酮使高分子膜底层的PMMA在基底边缘处溶解形成缝隙，采用先预热，再贴3M胶带固定，再加热的方式。随后自然风干即将二维材料转移至目标基底上。本发明转移后二维材料形貌完整、表面洁净，缓解了现有转移技术存在二维材料破损、转移过程难度大、成功率低等问题，还避免了传统水辅助转移法带来的二维材料易褶皱、破损等问题，同时能够有效避免传统水辅助剥离法中因PMMA厚度较大而产生的残胶污染问题。该方法可实现大面积二维材料的高效转移，转移后二维材料的形貌和结构完整。
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公开(公告)号：CN101752026B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010013649.9
申请日：2010-01-21
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种红外透明导电薄膜及其制备方法。所述的红外透明导电薄膜是在蓝宝石衬底上依次覆盖有Cu薄膜和CuAlO薄膜。Cu薄膜的厚度为300～360nm，折射率为1.07～1.13；CuAlO薄膜的厚度为100～170nm，折射率为1.70～2.00。制备时采用射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积Cu薄膜后退火，采用射频磁控溅射方法在沉积有Cu薄膜的蓝宝石上再沉积CuAlO薄膜后再退火。本发明制备的红外透明导电薄膜Cu/CuAlO，不仅具有很好的红外透过性能，还具有良好的导电性能，可用于改善红外探测器窗口/头罩材料的光学性能和抗电磁干扰性能。
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公开(公告)号：CN101368263B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810151191.6
申请日：2008-09-28
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法。技术特征在于步骤如下：在微波电子回旋共振(ECR)等离子体射频磁控溅射系统中通入Ar气，对Si靶进行预溅射；采用ECR等离子体射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积Si3N4薄膜后退火；采用ECR等离子体射频磁控溅射方法在沉积有Si3N4薄膜的蓝宝石上再沉积SiO2薄膜后再退火。本发明制备的氮化硅薄膜可满足化学计量比，薄膜的致密性良好，且能够有效降低SiO2薄膜和蓝宝石衬底之间的热应力；制备的氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜可明显提高蓝宝石的高温断裂强度，有效地增加蓝宝石的红外透过率。
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公开(公告)号：CN115354397B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210813798.6
申请日：2022-07-11
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种大面积二维单晶及制备方法，包括使用Bi2Te3粉末和氧气作为制备β‑Bi2Te4O11单晶的反应前驱体；使用氟金云母片作为衬底，通过套管法构造前驱体差异浓度场；采用石英管式炉优化升温程序制备出边长达到100μm以上的正方形β‑Bi2Te4O11单晶,厚度可以达到纳米级别。本发明制备的二维β‑Bi2Te4O11单晶符合化学计量比，晶体缺陷少。以二维β‑Bi2Te4O11单晶制备的375nm近紫外光探测器，其暗态电流低于10‑12A，电流开关比达到105以上，光响应度达到79.5A/W，探测度可达1.9×1012Jones。
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公开(公告)号：CN113258025A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110494725.0
申请日：2021-05-07
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种高性能水系电池用铋基负极及制备方法，采用碳布作为力学支撑体，将碳纳米管分散液和黄原胶凝胶混合得到凝胶状物质涂覆在碳布上，高温碳化处理得到多孔导电碳；以BiI3粉末为生长源，多孔导电碳为生长基底，通过优化升温程序，得到长有BiOI纳米片的多孔导电碳基底；在电化学三电极系统中，通过循环伏安电化学还原法将BiOI原位拓扑转变为铋活性物质，得到高性能铋基自支撑电极。本发明制备的铋基负极单位面积活性物质负载量高(27.5mg cm‑2)，电极力学性能好，面积比容量高达2.17mAh cm‑2，并且具有出色的循环稳定性，该电极在恒电流充放电5000次后的保容率为93.1％。
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公开(公告)号：CN109023529A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810770731.2
申请日：2018-07-13
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种大面积二维BiOI单晶的制备方法，使用BiI3粉末和氧气作为制备BiOI单晶的反应前驱体；使用氟金云母片作为衬底，在解理云母后堆叠按压构造微小反应空间；采用石英管式炉优化升温程序制备出边长达到100μm以上的正方形BiOI单晶,厚度可以达到单层级别。本发明制备的二维BiOI单晶符合化学计量比，晶体缺陷少。由二维BiOI单晶制备的254nm深紫外光探测器，其暗态电流少于10‑12A，开关电流Ion/Ioff比达到100以上，光响应度Rph达到30mA/W，外量子效率EQE接近14.7％，探测度可达2.4×109Jones。
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