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公开(公告)号：CN113930743A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111103698.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种常压下生长两层二硫化钨薄层的方法，解决现有制备两层二硫化钨薄膜存在工艺复杂、产率低、结晶质量差的技术问题。该方法，用钨源和硫源作为前驱体，用氯化钠作为催化剂，采用盐辅助法降低钨源的反应温度，以惰性气体为载气，在750‑850℃的高温下，让钨源蒸气和硫源蒸气反应，并将反应生成物二硫化钨沉积在生长衬底上，本发明通过在化学气相沉积过程中引入了两次低温成核来获得大量、层数可控制、结晶质量好的均匀两层二硫化钨采用两次生长成核。
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公开(公告)号：CN115603170A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211171192.3
申请日：2022-09-25
Applicant: 西北工业大学(CN)
IPC: H01S5/10 , H01S5/30 , H01S5/02 , H01S5/0233 , H01S5/0235
Abstract: 本发明涉及一种基于二维层状半导体的可调多模微腔光发射器及制备方法，属于微腔光发射器技术领域；所述发射器从下到上依次包括底部DBR衬底、二维层状半导体、PMMA膜和顶部DBR衬底；通过调节PMMA膜的厚度实现对光发射器微腔腔长、腔膜个数及位置的精确调控。方法步骤为：首先制备底部、顶部DBR衬底；并在底部DBR衬底上制备二维层状半导体；然后在其表面旋涂PMMA，将顶部DBR衬底粘结于PMMA上方；最后，通过显微角分辨光谱仪对多模微腔光发射器完成腔长、腔膜个数、位置的精调，得到多模微腔光发射器。本发明通过PMMA粘结的方式实现了微腔光发射器多种光模式的发射，以及微腔模式的可控调节和DBR与二维层状半导体材料的重复利用，大幅降低了微腔的制备难度及成本。
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公开(公告)号：CN113937618B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111371233.9
申请日：2021-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：(1)采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；(2)采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；(3)在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。
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公开(公告)号：CN113937618A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111371233.9
申请日：2021-11-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：(1)采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；(2)采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；(3)在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。
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公开(公告)号：CN113930743B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111103698.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种常压下生长两层二硫化钨薄层的方法，解决现有制备两层二硫化钨薄膜存在工艺复杂、产率低、结晶质量差的技术问题。该方法，用钨源和硫源作为前驱体，用氯化钠作为催化剂，采用盐辅助法降低钨源的反应温度，以惰性气体为载气，在750‑850℃的高温下，让钨源蒸气和硫源蒸气反应，并将反应生成物二硫化钨沉积在生长衬底上，本发明通过在化学气相沉积过程中引入了两次低温成核来获得大量、层数可控制、结晶质量好的均匀两层二硫化钨采用两次生长成核。
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