公开(公告)号：CN104756274B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201380055543.7

申请日：2013-06-14

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 贾斯珀·约斯特·迈克尔 ,  保卢斯·威廉默斯·玛丽亚·布洛姆 ,  乔治·托马斯·雅各布·格茨

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/5088 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5392 ,  H01L2251/568 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了制造电光器件堆叠体(10)的方法，该方法包括：设置包括接触电荷注入层(12)的电光层(13)的多层结构，电荷注入层(12)包含酸性化合物(12m)；在电光层(13)上沉积抗蚀剂层(14)，抗蚀剂层(14)包含可阳离子交联的抗蚀剂材料(14m)；通过由来自电荷注入层(12)的质子(12p)而引发的交联反应来使抗蚀剂材料(14m)在与电光层(13)中的缺口(12’、13’)相邻处进行反应，由此用包含交联的抗蚀剂材料(14c)的补片(14p)来覆盖所述缺口(12’、13’)；以及去除抗蚀剂材料(14m)的没有交联的部分，其中补片(14p)被保留为布置成用于在电荷注入层(12)与后续沉积在电光层(13)和补片(14p)上的层之间提供电绝缘。

公开(公告)号：CN104756274A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380055543.7

申请日：2013-06-14

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 贾斯珀·约斯特·迈克尔 ,  保卢斯·威廉默斯·玛丽亚·布洛姆 ,  乔治·托马斯·雅各布·格茨

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/5088 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5392 ,  H01L2251/568 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了制造电光器件堆叠体(10)的方法，该方法包括：设置包括接触电荷注入层(12)的电光层(13)的多层结构，电荷注入层(12)包含酸性化合物(12m)；在电光层(13)上沉积抗蚀剂层(14)，抗蚀剂层(14)包含可阳离子交联的抗蚀剂材料(14m)；通过由来自电荷注入层(12)的质子(12p)而引发的交联反应来使抗蚀剂材料(14m)在与电光层(13)中的缺口(12’、13’)相邻处进行反应，由此用包含交联的抗蚀剂材料(14c)的补片(14p)来覆盖所述缺口(12’、13’)；以及去除抗蚀剂材料(14m)的没有交联的部分，其中补片(14p)被保留为布置成用于在电荷注入层(12)与后续沉积在电光层(13)和补片(14p)上的层之间提供电绝缘。