公开(公告)号：CN105405868A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510564952.0

申请日：2015-09-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/74 ,  H01L21/334

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L29/0603 ,  H01L21/74 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/772

摘要： 本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分，其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。

公开(公告)号：CN110061051A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910187329.6

申请日：2015-05-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，（i）栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者（ii）漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。

公开(公告)号：CN110061051B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201910187329.6

申请日：2015-05-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，（i）栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者（ii）漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。

公开(公告)号：CN110047919A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910187341.7

申请日：2015-05-12

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构的至少一个包括配置用于控制流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。

公开(公告)号：CN105405868B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510564952.0

申请日：2015-09-08

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/74 ,  H01L21/334

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453

摘要： 本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分，其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。