电流偏置的霍尔传感器系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120008654A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411615601.3

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本公开涉及电流偏置的霍尔传感器系统。一种磁场传感器芯片,包括:输入端子,被配置为接收来自外部电流源的外部偏置电流;内部电流生成器,被配置为将外部偏置电流分解为包括第一内部偏置电流和第二内部偏置电流的多个内部偏置电流;霍尔传感器,被配置为由第一内部偏置电流偏置并且基于第一内部偏置电流被设置在第一操作点处,其中霍尔传感器被进一步配置为基于磁场和第一操作点生成传感器信号;以及放大器,被配置为由第二内部偏置电流偏置并且基于第二内部偏置电流被设置在第二操作点处。放大器被配置为基于第二操作点将传感器信号放大为放大传感器信号。

    用于在停泊模式期间保护车辆的安全气囊传感器

    公开(公告)号:CN118205511A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202311721857.8

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本公开涉及用于在停泊模式期间保护车辆的安全气囊传感器。一种车辆系统包括:车辆控制器,该车辆控制器被配置为检测车辆的停泊模式,并且基于检测到停泊模式生成低功耗命令;碰撞监测系统;以及通信接口。碰撞监测系统包括:传感器控制器,被配置为通过通信接口接收低功耗命令,进入低功耗模式,并且在低功耗模式期间设置通信接口为空闲通信模式;传感器,被配置为基于被测量性质生成传感器信号;处理电路,被配置为在低功耗期间基于传感器信号在多个采样时间处计算导数测量,并且将导数测量的每个实例与阈值进行比较。传感器控制器被配置为基于导数测量满足阈值,经由通信接口,将唤醒命令发送至车辆控制器。

    智能半导体开关
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105322935A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510454231.4

    申请日:2015-07-29

    Abstract: 本发明的各个实施方式涉及智能半导体开关。一种半导体器件包括利用第一类型的掺杂剂进行掺杂的半导体衬底、以及由一个或多个晶体管单元所组成的垂直晶体管。每个晶体管单元具有形成于该衬底之中并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂的第一区,并且该第一区与周围衬底一起形成第一pn结。至少一个第一阱区形成于该衬底中,并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂,以与该衬底一起形成第二pn结。该第一阱区经由半导体开关电连接至该垂直晶体管的第一区。该半导体器件包括检测电路,其集成于该衬底之中并且被配置为检测该第一pn结是否被反向偏置。该开关在该第一pn结被反向偏置时断开,并且该开关在该第一pn结未反向偏置时闭合。

    热导率传感器及相关操作方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119086633A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202410661462.1

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 本公开的实施例涉及热导率传感器及相关操作方法。一种热导率传感器包括测量电路,该测量电路被配置为在测量电路的加热阶段在第一电路配置中操作,并且在测量电路的测量阶段在第二电路配置中操作。第一电路配置与测量电路在电源电压状态下的第一功率耗散相关联。第二电路配置与测量电路在电源电压状态下的第二功率耗散相关联。第一功率耗散大于第二功率耗散。

    安全相关传感器中对于自诊断触发的自动决策

    公开(公告)号:CN116890581A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310302125.9

    申请日:2023-03-27

    Abstract: 本公开的实施例涉及安全相关传感器中对于自诊断触发的自动决策。压力传感器模块包括:压力传感器,被配置为周期性地测量外壳内的内部空气压力,并且生成具有多个传感器值的传感器信号;信号处理链,用于调节传感器信号以生成多个调节传感器值;存储器,被配置为存储调节传感器值中的每个调节传感器值;以及处理电路,经由信号处理链而被耦合到压力传感器,用于接收当前调节传感器值,并且被耦合到存储器,用于接收先前调节传感器值。处理电路被配置为监控故障,包括:计算当前调节传感器值与先前传感器值之间的压力差值;将压力差值与压力阈值进行比较;以及如果压力差值大于压力阈值,则触发信号处理链的诊断。

    智能半导体开关
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105322935B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201510454231.4

    申请日:2015-07-29

    Abstract: 本发明的各个实施方式涉及智能半导体开关。一种半导体器件包括利用第一类型的掺杂剂进行掺杂的半导体衬底、以及由一个或多个晶体管单元所组成的垂直晶体管。每个晶体管单元具有形成于该衬底之中并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂的第一区,并且该第一区与周围衬底一起形成第一pn结。至少一个第一阱区形成于该衬底中,并且利用第二类型的掺杂剂进行掺杂,以与该衬底一起形成第二pn结。该第一阱区经由半导体开关电连接至该垂直晶体管的第一区。该半导体器件包括检测电路,其集成于该衬底之中并且被配置为检测该第一pn结是否被反向偏置。该开关在该第一pn结被反向偏置时断开,并且该开关在该第一pn结未反向偏置时闭合。

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