公开(公告)号：CN105577595B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510732910.3

申请日：2015-11-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·沃杰诺维斯基 ,  F·阿尔乔尼 ,  G·贝蒂内斯基 ,  A·格拉斯 ,  J-P·沙费尔 ,  H·韦特曼

IPC: H04L25/08

Abstract: 本公开涉及一种基于差分传输线的共模抑制器。具体地，提供了一种用于消除高频差分数据传输系统中的共模噪声的共模抑制器以及相关联的方法，共模抑制器包括被配置为在源和负载之间传送数据的长的、卷绕的差分传输线。该差分传输线包括第一导线和第二导线，第一导线和第二导线电感性地和电容性地进行耦合并且彼此横向对准或竖直对准。另外，该差分传输线针对差分信号相匹配而针对共模噪声并不匹配。

公开(公告)号：CN105577595A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510732910.3

申请日：2015-11-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·沃杰诺维斯基 ,  F·阿尔乔尼 ,  G·贝蒂内斯基 ,  A·格拉斯 ,  J-P·沙费尔 ,  H·韦特曼

IPC: H04L25/08

Abstract: 本公开涉及一种基于差分传输线的共模抑制器。具体地，提供了一种用于消除高频差分数据传输系统中的共模噪声的共模抑制器以及相关联的方法，共模抑制器包括被配置为在源和负载之间传送数据的长的、卷绕的差分传输线。该差分传输线包括第一导线和第二导线，第一导线和第二导线电感性地和电容性地进行耦合并且彼此横向对准或竖直对准。另外，该差分传输线针对差分信号相匹配而针对共模噪声并不匹配。

公开(公告)号：CN114628345A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111487320.0

申请日：2021-12-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈特纳 ,  F·阿尔乔尼 ,  T·厄尔德埃尔 ,  V·费奥雷 ,  H·科尔曼 ,  A·罗尼 ,  E·斯塔瓦格纳 ,  C·瓦格纳

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触件；外部连接元件，被配置为在半导体器件与印刷电路板之间提供第一电连接；以及电再分布层，在与半导体芯片的主表面平行的方向上延伸，并被配置为在半导体芯片的电接触件与外部连接元件之间提供第二电连接。电再分布层包括连接到地电位的地线以及被配置为承载具有波长的电信号的信号线。当在垂直于半导体芯片的主表面的方向上查看时：地线与信号线之间的间隙的宽度沿一路径连续小于波长的10％，且至少小于40微米，该路径的起点和半导体芯片的电接触件相对于从电接触件到外部连接元件的中心的方向具有相似的位置。

公开(公告)号：CN111799247A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010266528.9

申请日：2020-04-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈特纳 ,  F·阿尔乔尼 ,  B·赫勒 ,  M·R·涅斯纳 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃杰诺维斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/64 ,  H05K1/18 ,  H05K3/32

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括：具有高频电路和高频端子的半导体芯片；外部高频端子；以及布置在半导体芯片的高频端子与外部高频端子之间的非电连接，其中该非电连接被设计为传输高频信号。