公开(公告)号：CN102479685A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110367748.1

申请日：2011-11-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.克勒纳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01F17/06

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01F41/046 ,  H01F2017/0066 ,  H01L27/08

摘要： 提供一种将电感器集成到半导体衬底中的方法。该方法包括提供具有第一表面和第二表面的半导体衬底以及在该半导体衬底中形成至少第一沟槽和至少两个开口。第一沟槽和开口从第一表面延伸到半导体衬底且第一沟槽具有环状形状。第一沟槽的一部分布置在两个开口之间。该方法还包括将软磁材料沉积到第一沟槽中以形成环状封闭可磁化芯结构、将导电材料沉积到开口中以形成通孔且在通孔之间形成电学连接。

公开(公告)号：CN102479605B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110367749.6

申请日：2011-11-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.克勒纳 ,  C.冯科布林斯基

IPC分类号： H01F30/06 ,  H01F27/28 ,  H01F41/00 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01F41/04 ,  H01F27/2804 ,  H01F41/041 ,  H01F2027/2819 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00

摘要： 变压器器件和用于制造变压器器件的方法。变压器器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的玻璃基板。第一凹陷在玻璃基板的第一侧形成。第二凹陷在玻璃基板的第二侧形成。该第一凹陷和第二凹陷彼此相对布置。第一线圈布置在第一凹陷中且第二线圈布置在第二凹陷中。

公开(公告)号：CN102479685B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110367748.1

申请日：2011-11-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.克勒纳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01F17/06

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01F41/046 ,  H01F2017/0066 ,  H01L27/08

摘要： 提供一种将电感器集成到半导体衬底中的方法。该方法包括提供具有第一表面和第二表面的半导体衬底以及在该半导体衬底中形成至少第一沟槽和至少两个开口。第一沟槽和开口从第一表面延伸到半导体衬底且第一沟槽具有环状形状。第一沟槽的一部分布置在两个开口之间。该方法还包括将软磁材料沉积到第一沟槽中以形成环状封闭可磁化芯结构、将导电材料沉积到开口中以形成通孔且在通孔之间形成电学连接。

公开(公告)号：CN102479605A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110367749.6

申请日：2011-11-18

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： F.克勒纳 ,  C.冯科布林斯基

IPC分类号： H01F30/06 ,  H01F27/28 ,  H01F41/00 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01F41/04 ,  H01F27/2804 ,  H01F41/041 ,  H01F2027/2819 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00

摘要： 变压器器件和用于制造变压器器件的方法。变压器器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的玻璃基板。第一凹陷在玻璃基板的第一侧形成。第二凹陷在玻璃基板的第二侧形成。该第一凹陷和第二凹陷彼此相对布置。第一线圈布置在第一凹陷中且第二线圈布置在第二凹陷中。