公开(公告)号：CN104137228A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201180076439.7

申请日：2011-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·M·塞亚 ,  C·E·韦伯 ,  P·H·基斯 ,  S·金 ,  M·G·哈弗蒂 ,  S·尚卡尔

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明描述了具有环绕式接触部的纳米线结构。例如，纳米线半导体器件包括设置于衬底上方的纳米线。沟道区设置于所述纳米线中。所述沟道区具有长度以及与该长度正交的周边。栅极电极堆叠体包围所述沟道区的整个周边。一对源极区和漏极区设置于所述沟道区的两侧上的纳米线中。所述源极区和漏极区中的一个具有与所述沟道区的长度正交的周边。第一接触部完全包围所述源极区的周边。第二接触部完全包围所述漏极区的周边。