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公开(公告)号：CN111752744A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010135592.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 英特尔公司
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明提供了用于提供可伸缩架构来用于在存储器中执行计算操作的技术。用于提供可伸缩架构来在存储器中高效地执行计算操作的技术包括存储器，所述存储器具有被耦合到存储器介质的介质访问电路。所述介质访问电路将：从存储器介质访问数据以执行所请求的操作，利用被包括在介质访问电路中的多个计算逻辑单元中的每一个来在所访问的数据上同时执行所请求的操作，以及向存储器介质写入从所请求的操作的执行所产生的结果得到的数据。
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公开(公告)号：CN104025198A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180076016.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/1048 , G06F11/073 , G06F11/0763 , G06F11/1068 , G11C13/0004
Abstract: 描述了涉及PCMS（相变存储器与开关）写错误检测的方法和设备。在一个实施例中，第一存储单元存储单个位以指示与一个或多个PCMS装置的任何PCMS装置中写操作相对应的错误是否已发生。此外，一个或多个存储单元各自存储多个位以指示与写操作相对应的错误是否已在一个或多个PCMS装置的多个分区的分区中发生。还公开并要求保护其它实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105474323A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480047332.3
申请日：2014-08-26
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C13/0004 , G11C2013/0076
Abstract: 本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN104969193B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201480008297.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/1076 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1044 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , H03M13/05 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/19 , H03M13/27 , H03M13/6508
Abstract: 不可校正的存储器错误可以通过确定用于存储器阵列的集合的逻辑阵列地址并且至少部分地基于存储器阵列的集合内的至少两个存储器阵列的逻辑位置将逻辑阵列地址变换成至少两个唯一阵列地址来减少。然后分别使用至少两个唯一阵列地址来访问至少两个存储器阵列。
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公开(公告)号：CN104969193A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480008297.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/1076 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1044 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , H03M13/05 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/19 , H03M13/27 , H03M13/6508
Abstract: 不可校正的存储器错误可以通过确定用于存储器阵列的集合的逻辑阵列地址并且至少部分地基于存储器阵列的集合内的至少两个存储器阵列的逻辑位置将逻辑阵列地址变换成至少两个唯一阵列地址来减少。然后分别使用至少两个唯一阵列地址来访问至少两个存储器阵列。
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公开(公告)号：CN105474323B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201480047332.3
申请日：2014-08-26
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C13/0004 , G11C2013/0076
Abstract: 本文公开了包括与刷新存储器单元相关联的系统、方法和装置的实施例。在实施例中，存储器控制器可以被配置成执行诸如相变存储器（PCM）之类的交叉点非易失性存储器中的一个或多个存储器单元上的读取操作。一个或多个存储器单元可以具有分别被设置成第一阈值电压或第二阈值电压的电压值。基于读取，存储器控制器可以识别被设置成第二阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元，并且刷新那些单元的电压值而不更改被设置成第一阈值电压的交叉点非易失性存储器中的存储器单元的电压值。可以描述或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN104025198B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201180076016.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F11/1048 , G06F11/073 , G06F11/0763 , G06F11/1068 , G11C13/0004
Abstract: 描述了涉及PCMS（相变存储器与开关）写错误检测的方法和设备。在一个实施例中，第一存储单元存储单个位以指示与一个或多个PCMS装置的任何PCMS装置中写操作相对应的错误是否已发生。此外，一个或多个存储单元各自存储多个位以指示与写操作相对应的错误是否已在一个或多个PCMS装置的多个分区的分区中发生。还公开并要求保护其它实施例。
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