公开(公告)号：CN104137264A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201180076400.5

申请日：2011-12-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·卡佩拉尼 ,  S·M·塞亚 ,  T·加尼 ,  H·戈麦斯 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  P·H·基斯 ,  S·金 ,  K·J·库恩 ,  A·D·利拉科 ,  R·里奥斯 ,  M·萨尼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66818 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76216 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785

Abstract: 描述了具有隔离的主体部分的半导体器件。例如，半导体结构包括设置于半导体衬底上方的半导体主体。所述半导体主体包括沟道区和沟道区的两侧上的源极区和漏极区对。隔离基座设置于所述半导体主体与所述半导体衬底之间。栅极电极堆叠体至少部分地包围所述半导体主体的沟道区的一部分。

公开(公告)号：CN104137264B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201180076400.5

申请日：2011-12-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·卡佩拉尼 ,  S·M·塞亚 ,  T·加尼 ,  H·戈麦斯 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  P·H·基斯 ,  S·金 ,  K·J·库恩 ,  A·D·利拉科 ,  R·里奥斯 ,  M·萨尼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66818 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76216 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785

Abstract: 描述了具有隔离的主体部分的半导体器件。例如，半导体结构包括设置于半导体衬底上方的半导体主体。所述半导体主体包括沟道区和沟道区的两侧上的源极区和漏极区对。隔离基座设置于所述半导体主体与所述半导体衬底之间。栅极电极堆叠体至少部分地包围所述半导体主体的沟道区的一部分。