公开(公告)号：CN103999162A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180075840.9

申请日：2011-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J-S.杨 ,  D.科布拉 ,  L.居 ,  D.齐默曼

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/42 ,  H01L23/48 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C29/70 ,  G11C29/025 ,  G11C29/04 ,  G11C29/4401 ,  G11C29/702 ,  G11C29/785 ,  G11C29/846 ,  G11C2213/71 ,  H01L22/22 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述了用于堆叠存储器架构的自修复逻辑。存储装置的一个实施例包括存储器堆叠和与存储器堆叠耦合的系统元件，存储器堆叠具有包括第一存储器管芯元件的一个或多个存储器管芯元件。第一存储器管芯元件包括多个硅通孔（TSV）和自修复逻辑，TSV包括数据TSV和一个或多个备用TSV，自修复逻辑用于修复多个数据TSV的有缺陷TSV的操作，对有缺陷TSV的操作的修复包括利用一个或多个备用TSV。

公开(公告)号：CN105513647A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610026970.8

申请日：2011-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J-S.杨 ,  D.科布拉 ,  L.居 ,  D.齐默曼

IPC: G11C29/44

CPC classification number: G11C29/4401

Abstract: 本文描述了用于堆叠存储器架构的自修复逻辑。存储装置的一个实施例包括存储器堆叠和与存储器堆叠耦合的系统元件，存储器堆叠具有包括第一存储器管芯元件的一个或多个存储器管芯元件。第一存储器管芯元件包括多个硅通孔（TSV）和自修复逻辑，TSV包括数据TSV和一个或多个备用TSV，自修复逻辑用于修复多个数据TSV的有缺陷TSV的操作，对有缺陷TSV的操作的修复包括利用一个或多个备用TSV。