公开(公告)号：CN104969351A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007712.4

申请日：2014-03-04

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘海涛 ,  C.V.莫里 ,  K.K.帕拉特 ,  孙杰 ,  黄广宇

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11582 ,  G11C16/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 用于制作三维存储器结构的方法包括：形成阵列堆叠；在阵列堆叠之上创建牺牲材料层；刻蚀通过牺牲材料层和阵列堆叠的孔；在所述孔中创建半导体材料的立柱以形成至少两个竖直堆叠的闪存单元，所述至少两个竖直堆叠的闪存单元使用所述立柱作为共用主体；去除围绕所述立柱的至少一些牺牲材料层，以便暴露所述立柱的一部分；以及使用所述立柱的所述部分作为FET的主体来形成场效应晶体管（FET）。

公开(公告)号：CN104969351B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201480007712.4

申请日：2014-03-04

申请人： 英特尔公司

发明人： 刘海涛 ,  C.V.莫里 ,  K.K.帕拉特 ,  孙杰 ,  黄广宇

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/792 ,  G11C16/06

CPC分类号： H01L27/11582 ,  G11C16/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 用于制作三维存储器结构的方法包括:形成阵列堆叠;在阵列堆叠之上创建牺牲材料层;刻蚀通过牺牲材料层和阵列堆叠的孔;在所述孔中创建半导体材料的立柱以形成至少两个竖直堆叠的闪存单元,所述至少两个竖直堆叠的闪存单元使用所述立柱作为共用主体;去除围绕所述立柱的至少些牺牲材料层,以便暴露所述立柱的部分;以及使用所述立柱的所述部分作为FET的主体来形成场效应晶体管(FET)。