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公开(公告)号：CN102683009A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210160443.8
申请日：2012-05-23
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明关于一种陶瓷电容，包含：第一面；第一金属层，包含第一端电极；第二金属层，包含第二端电极，其中该第一端电极以及该第二端电极皆暴露于该第一面上；第一陶瓷介电层，位于该第一金属层与该第二金属层之间；第一导电垫，位于该第一面上并电性连接该第一端电极，其中该第一金属层与该第一导电垫彼此垂直；以及第二导电垫，位于该第一面上且与该第一导电垫相隔一定距离，并电性连接该第二端电极，其中该第二金属层与该第二导电垫彼此垂直；其中该第一导电垫与该第二导电垫分别由双层金属所组成，该双层金属包含化学镀内层以及电镀外层，藉由本发明陶瓷电容的导电垫位置的新颖设计，而可以占据较小的电路板空间。
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公开(公告)号：CN101607819A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910160105.2
申请日：2009-07-17
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明揭露一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物及玻璃质成份。主成份由(BaxSryCa1－x－y)m(TizZr1－z)O3组成，其中0＜x＜0.6，0.1＜y＜0.7，0.03＜z＜0.1且0.8＜m＜1.2。第一掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.075之间，且第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.03之间，且第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002～0.02之间。此介电陶瓷组合物可在1150℃～1300℃完成烧结致密化。
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公开(公告)号：CN102655055A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210121246.5
申请日：2012-04-23
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种制造积层电容器的方法，先交互穿插形成多层介电层、多层第一内电极层以及多层第二内电极层，以形成积层体，接着，于积层体的顶表面上，形成第一端电极，且电连接多层第一内电极层，最后，于积层体之顶表面上，形成第二端电极，且电连接多层第二内电极层，本发明的方法所制造的积层电容器适用于焊接在LGA焊垫上，利于提升具有LGA焊垫的电路板上电子元件的密度。
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公开(公告)号：CN102655054A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210120684.X
申请日：2012-04-23
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种于积层电子元件上形成端电极的方法，先提供积层电子元件，接着，藉由第一被覆制程，于积层电子元件的一侧表面上选择性地被覆第一金属层，且覆盖积层电子元件的外电极，最后，藉由第二被覆制程，于积层电子元件的该侧表面上选择性地被覆第二金属层，且覆盖第一金属层，即完成端电极，本发明的形成端电极的方法具有高可靠度、低成本、高解析度等优点。
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公开(公告)号：CN102543428A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014221.5
申请日：2012-01-18
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明公开一种陶瓷电容，包含：第一面；第一金属层，包含第一端电极；第二金属层，包含第二端电极，其中该第一端电极以及该第二端电极皆暴露于该第一面上；第一陶瓷介电层，位于该第一金属层与该第二金属层之间；第一导电垫，位于该第一面上并电性连接该第一端电极，其中该第一金属层与该第一导电垫彼此垂直；以及第二导电垫，位于该第一面上且与该第一导电垫相隔一定距离，并电性连接该第二端电极，其中该第二金属层与该第二导电垫彼此垂直；其中该第一导电垫与该第二导电垫分别由双层金属所组成，该双层金属包含化学镀内层以及电镀外层，藉由本发明陶瓷电容的导电垫位置的新颖设计，而可以占据较小的电路板空间。
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公开(公告)号：CN101607819B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910160105.2
申请日：2009-07-17
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明揭露一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物及玻璃质成份。主成份由(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3组成，其中0＜x＜0.6，0.1＜y＜0.7，0.03＜z＜0.1且0.8＜m＜1.2。第一掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.075之间，且第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.03之间，且第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002～0.02之间。此介电陶瓷组合物可在1150℃～1300℃完成烧结致密化。
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公开(公告)号：CN202736613U
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201220187892.7
申请日：2012-04-28
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本实用新型提供一种晶片电阻器，包含：绝缘基板，具有一下表面；一对端电极，为形成在该绝缘基板的该下表面上；电阻体，形成在该绝缘基板的该下表面上，其位置处于该对端电极之间，且该电阻体的两端分别电性连接该对端电极；以及保护层，形成于该电阻体上。本实用新型所提供的晶片电阻器适用于焊接在LGA焊垫上，利于提升电路板上电子元件的密度。
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公开(公告)号：CN202523553U
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201220020992.0
申请日：2012-01-18
申请人： 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
摘要： 本实用新型公开一种单面端电极陶瓷电容，包含：第一面；第一金属层，包含第一端电极；第二金属层，包含第二端电极，其中该第一端电极以及该第二端电极皆暴露于该第一面上；第一陶瓷介电层，位于该第一金属层与该第二金属层之间；第一导电垫，位于该第一面上并电性连接该第一端电极，其中该第一金属层与该第一导电垫彼此垂直；以及第二导电垫，位于该第一面上且与该第一导电垫相隔一定距离，并电性连接该第二端电极，其中该第二金属层与该第二导电垫彼此垂直，藉由本实用新型陶瓷电容的导电垫位置的新颖设计，而可以占据较小的电路板空间。
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公开(公告)号：CN101656152A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810131008.6
申请日：2008-08-19
申请人： 达方电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其形成方法。该多层陶瓷电容器包含电容陶瓷体、中介连接层以及导电层，电容陶瓷体包含多层介电陶瓷层以及沿着介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极，中介连接层形成于电容陶瓷体外，并与部分的内部电极电性连接，导电层覆盖中介连接层，其中，中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，导电层的导电材料为聚合物型银胶。
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公开(公告)号：CN1779875A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410095284.3
申请日：2004-11-22
申请人： 达方电子股份有限公司
发明人： 吴旻修
摘要： 本发明公开一种晶片入料装置及晶片入料方法，适用于长边长L、短边长W、且L＞W的晶片，可顺利地将晶片导正为短边向下，上述晶片入料装置包含：一下模具，具有多个间隔排列的漏斗型的第一模孔，上述各第一模孔分别具有宽度R11的一上开口与宽度R12的一下开口，且R11＞L＞R12＞W；以及一上模具于上述下模具上，具有对应于上述第一模孔的多个第二模孔，上述各第二模孔分别具有宽度R2的一第二开口，且R2＞L。
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