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公开(公告)号：CN110571149A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910733946.1
申请日：2019-08-09
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法，其能够消除背面氧化物薄层和多晶硅或非晶硅薄层的正面绕镀现象。所述制备方法依次包括如下步骤：A、对P型硅片进行制绒，且对制绒后硅片的背面进行刻蚀抛光；B、在硅片背面制备氧化物薄层，在氧化物薄层上制备多晶硅或非晶硅薄层；C、对多晶硅或非晶硅薄层进行硼掺杂；D、硅片以背面向上的方式经过刻蚀液，去除硼硅玻璃和硅片正面氧化物薄层及多晶硅或非晶硅薄层绕镀；E、在硅片背面的掺杂多晶硅薄层上制备氮化硅层；F、硅片正面酸洗后再次制绒，并进行磷掺杂；G、酸洗去除磷硅玻璃后，进行硅片正面热氧化；H、硅片正面镀氮化硅层；I、制作电极。
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公开(公告)号：CN110212057A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910474322.2
申请日：2019-05-31
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
摘要： 本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。
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公开(公告)号：CN110634995B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910920588.5
申请日：2019-09-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L31/0288
摘要： 本发明公开了一种低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，在电池形成PN结或PP+的高低结过程中，采用镓源或者IIIA族元素进行高温扩散、离子注入或原位掺杂，特别是当P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制；在电池形成PN结或者PP+的高低结过程中采用镓源或者其他IIIA族元素(铝、铟、铊、鈮)替代硼源进行高温扩散、离子注入或者原位掺杂，尤其是P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制。通过对掺杂源的时间、温度、浓度等的调整来控制掺杂量在硅中的分布。通过此种方法严格控制硼原子的二次引入，消除了硼氧对产生的前提，避免了光衰现象。
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公开(公告)号：CN110212057B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910474322.2
申请日：2019-05-31
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/225
摘要： 本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。
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公开(公告)号：CN110444635B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910733644.4
申请日：2019-08-09
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的断栅修复方法，可以有效地将断栅处连接起来，形成良好的通路。一种太阳能电池的断栅修复方法，依次包括如下步骤：A、在太阳能电池的断栅处开槽，以去除所述断栅处的钝化层，露出硅表面；B、对所述太阳能电池进行电镀，在开槽处的硅表面和栅线上沉积导电金属膜，以使所述断栅处连通；C、清洗所述太阳能电池上残留的电镀液；D、将所述太阳能电池烘干。
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公开(公告)号：CN110444635A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910733644.4
申请日：2019-08-09
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的断栅修复方法，可以有效地将断栅处连接起来，形成良好的通路。一种太阳能电池的断栅修复方法，依次包括如下步骤：A、在太阳能电池的断栅处开槽，以去除所述断栅处的钝化层，露出硅表面；B、对所述太阳能电池进行电镀，在开槽处的硅表面和栅线上沉积导电金属膜，以使所述断栅处连通；C、清洗所述太阳能电池上残留的电镀液；D、将所述太阳能电池烘干。
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公开(公告)号：CN110571149B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910733946.1
申请日：2019-08-09
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法，其能够消除背面氧化物薄层和多晶硅或非晶硅薄层的正面绕镀现象。所述制备方法依次包括如下步骤：A、对P型硅片进行制绒，且对制绒后硅片的背面进行刻蚀抛光；B、在硅片背面制备氧化物薄层，在氧化物薄层上制备多晶硅或非晶硅薄层；C、对多晶硅或非晶硅薄层进行硼掺杂；D、硅片以背面向上的方式经过刻蚀液，去除硼硅玻璃和硅片正面氧化物薄层及多晶硅或非晶硅薄层绕镀；E、在硅片背面的掺杂多晶硅薄层上制备氮化硅层；F、硅片正面酸洗后再次制绒，并进行磷掺杂；G、酸洗去除磷硅玻璃后，进行硅片正面热氧化；H、硅片正面镀氮化硅层；I、制作电极。
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公开(公告)号：CN110634995A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920588.5
申请日：2019-09-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L31/0288
摘要： 本发明公开了一种低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法，在电池形成PN结或PP+的高低结过程中，采用镓源或者IIIA族元素进行高温扩散、离子注入或原位掺杂，特别是当P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制；在电池形成PN结或者PP+的高低结过程中采用镓源或者其他IIIA族元素(铝、铟、铊、鈮)替代硼源进行高温扩散、离子注入或者原位掺杂，尤其是P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制。通过对掺杂源的时间、温度、浓度等的调整来控制掺杂量在硅中的分布。通过此种方法严格控制硼原子的二次引入，消除了硼氧对产生的前提，避免了光衰现象。
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公开(公告)号：CN110233180A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910475066.9
申请日：2019-06-02
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/049 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法所述方法包括对P型单晶硅片的正面和背面进行前道工序处理，然后在背面进行氧化形成超薄隧穿氧化层和制备掺硼硅薄层；在单晶硅片的正面进行磷扩散，并制作选择性发射极；在单晶硅片的背面的第一钝化减反射层和正面的第二钝化减反射层的表面印刷金属电极，金属电极与所述单晶硅片之间形成良好的接触，即完成太阳能电池P型背面隧穿氧化钝化接触。本发明提供了完整且可行的P型隧穿氧化钝化接触太阳能电池制作工艺路线，采用先背面硼掺杂多晶硅薄膜，后正面磷扩散的工艺方法，可有效避免磷的二次扩散、从而产生方阻不匹配现象，可操作性强。
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公开(公告)号：CN110233179A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910474323.7
申请日：2019-05-31
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/049 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有发射层，所述发射层正面设有第一钝化层，所述P型硅基体背面设有超薄氧化硅层，所述超薄氧化硅层背面设有多晶硅层，所述多晶硅层背面设有第二钝化层；在不购置昂贵离子注入设备的前提下，实现选择性钝化接触结构，不仅提高电池效率的同时，更降低产线升级成本。
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