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公开(公告)号：CN118984645A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411040424.0
申请日：2024-07-31
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种基于层状多相ReS2多阻态忆阻器的制备方法及应用，通过相工程技术制备多相ReS2并转移到N型硅衬底表面，得到样品；利用光刻及磁控溅射制备源漏极以及栅极，得到层状多相ReS2的多阻态忆阻器。本发明的忆阻器包括N型硅衬底、二硫化铼、金属电极；可实现在电场驱动下的瞬时阻变效应，并且开/关比高达103。此外，具有多阻态调控功能，在脉冲作用下出现16个可谐调电阻态。这种忆阻器结构简单、制备方便、性能优良，并且为二维金属硫族化合物在多阻态忆阻器中的应用提供了思路。
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