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公开(公告)号：CN118199549A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599321.9
申请日：2022-12-12
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明公开了一种基板结构、制备方法以及声表面波谐振器、制备方法。该基板结构包括：第一衬底，第一衬底的表面设置有第一温度补偿层；顶层衬底，顶层衬底位于第一温度补偿层远离第一衬底的一侧，顶层衬底靠近第一温度补偿层的表面设置有至少一个第一凹槽，顶层衬底远离第一温度补偿层的表面设置有至少一个第二凹槽，第一凹槽的深度小于顶层衬底的厚度，第二凹槽的深度小于顶层衬底的厚度。本发明实施例提供的技术方案实现了对声表面波谐振单元随着温度变化发生的频率漂移现象进行补偿的效果。
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公开(公告)号：CN117199107A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210611236.3
申请日：2022-05-31
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明提供了一种增强型开关器件及其制备方法。该增强型开关器件包括：衬底；沟道结构，包括沟道层和势垒层，所述沟道结构背向所述衬底的一侧设有凹槽，所述凹槽贯穿所述势垒层和沟道层；n型半导体层，覆盖凹槽的底壁，p型半导体层，设于所述栅极区域，且所述p型半导体层的至少部分区域位于所述n型半导体层上；栅极，位于p型半导体层背向所述衬底的一侧；源极，位于所述源极区域；漏极，位于所述漏极区域。本发明的增强型开关器件栅极区域相互接触的p型半导体层和n型半导体层在栅极区域形成空间耗尽区，开关器件源极和漏极之间的电子通道中断，因此开关器件在零栅偏压下，可以被有效关断，提高器件栅极控制能力和器件可靠性。
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公开(公告)号：CN117199123A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210629327.X
申请日：2022-05-31
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本公开提供了一种增强型开关器件及其制备方法。该增强型开关器件包括：衬底；沟道结构，包括沟道层和势垒层，所述沟道层设于所述衬底上，所述势垒层设于所述沟道层背向所述衬底的一侧；所述沟道结构背向所述衬底的一侧设有凹槽，所述凹槽贯穿所述势垒层和部分沟道层；所述凹槽位于所述栅极区域；p型半导体层，设于所述栅极区域，且所述p型半导体层的至少部分区域位于所述凹槽内；栅极，位于p型半导体层背向所述衬底的一侧；源极，位于所述源极区域；漏极，位于所述漏极区域。本公开栅极区域相互接触的p型半导体层和沟道层，有效抑制器件电流崩塌效应，改善动态特性，提高器件栅极控制能力和器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118183609A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211550864.1
申请日：2022-12-05
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H10N30/50 , H10N30/30 , H10N30/057 , H10N30/072
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，衬底的一侧具有第一凹槽；多层压电传感结构，依次层叠在衬底远离第一凹槽的一侧；相邻两层压电传感结构之间的边缘处设置有支撑结构，以在相邻两层压电传感结构之间形成空腔；其中，每一压电传感结构包括固定端以及多个由边缘向内部延伸的悬臂梁结构；位于第一层的压电传感结构的固定端由衬底支撑，位于第一层压电传感结构上方的压电传感结构的固定端由支撑结构支撑；不同层的悬臂梁结构的受压面积和/或长度不同。提高了半导体结构的灵敏度、高声压耐受度以及扩大了检测频率带宽。
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公开(公告)号：CN117998964A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211384736.4
申请日：2022-11-07
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： H10N30/00 , H10N30/20 , H10N30/04 , H10N30/081
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括衬底，衬底表面具有多个第一凹槽；第一温度补偿层，位于第一凹槽内，且覆盖第一凹槽的底部和侧部；压电层，压电层设于衬底设置第一凹槽的一侧上；以及位于压电层上的叉指换能器。本发明公开的半导体结构解决了半导体结构热适配和应力补偿问题的同时，有效抑制了半导体结构因温度变化发生的频率漂移现象，进而提高了半导体结构的品质因数以及在不同温度下的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN117374185A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210762924.X
申请日：2022-06-30
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明提供了一种发光器件，发光器件包括：基底、第一掩膜层、第一外延层与发光结构；第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于与第一窗口在基底所在平面上的正投影的面积；第一外延层自基底外延生长至填满第一窗口；发光结构位于第一外延层与第一掩膜层上。根据本发明的实施例，使用具有第一掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底，利用第一窗口的内收侧壁，使得外延生长的GaN基材料的位错终止在第一窗口的侧壁，无法在第一窗口外继续延伸。因而，可以降低GaN基材料的位错密度，提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN219385301U
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202223339788.8
申请日：2022-12-12
申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
IPC分类号： C23C14/30
摘要： 本实用新型提供了一种带有坩埚套的金属蒸镀用坩埚套件，坩埚内部的坩埚套侧壁具有齿纹结构。本实用新型中，通过设计坩埚套侧壁齿纹结构，可减少坩埚套和坩埚的接触面积，从而有效减少能量损失。坩埚套侧壁结构预留的空间体积，还可以有效的减少因热胀冷缩而造成的挤压性破坏，并且使得坩埚套容易取出，方便设备人员进行设备维护作业。
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