一种真空度传感器及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119533761A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411628325.4

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种真空度传感器及其制造方法,涉及真空压力测量技术领域,以解决现有的皮拉尼真空传感器的测量范围较小的问题。所述真空度传感器包括基底、第一支撑层、热敏电阻和钝化层。基底具有绝热空腔,第一支撑层形成在基底的第一面上。热敏电阻形成在第一支撑层远离基底的一面上,钝化层覆盖第一支撑层和热敏电阻。其中,第一支撑层和钝化层形成的叠层结构包括与基底对应的连接结构,设置有热敏电阻的换热结构以及用于连接换热结构和连接结构的悬臂梁;悬臂梁和换热结构均位于绝热空腔上方。沿第一支撑层至钝化层的方向,悬臂梁上开设有至少一个通孔,通孔贯穿悬臂梁,通孔与绝热空腔连通。

    一种气体传感器、气体传感器的温度控制系统及方法

    公开(公告)号:CN119643786A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411657393.3

    申请日:2024-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种气体传感器、气体传感器的温度控制系统及方法,涉及气体传感器技术领域,以解决气体传感器周围的环境温度降低时,环境温度的变化造成气体传感器输出信号的漂移,导致气体传感器的测量结果出现误差的问题。所述气体传感器包括:壳体上开设有窗口,窗口处设置有用于透过气体并阻挡液体或固体的窗材。壳体设置于基座,壳体和基座之间具有容纳腔。沿窗口至基座的方向,管脚贯穿基座。气体传感器芯片设置于基座的第一面,气体传感器芯片与管脚电连接。加热结构设置于基座的第二面并与管脚电连接,加热结构用于加热气体传感器芯片和基座。测温结构设置于基座的第一面,且位于容纳腔中,测温结构用于测量气体传感器芯片周围的实际温度。

    一种气体检测装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119413836A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411485773.3

    申请日:2024-10-23

    Abstract: 本发明公开一种气体检测装置,涉及气体浓度检测技术领域,以解决环境湿度过高使得水蒸气结露降低传感器检测精度的问题。气体检测装置包括:基板具有相对的第一面和第二面,第一面和第二面之间具有中间层;气体传感器设于基板的第一面;加热部件内嵌于基中间层;测温部件设于第一面,用于检测基板温度信息;壳体罩设于基板第一面;控制电路设于基板第二面,加热部件、测温部件和气体传感器均与控制电路电连接,控制电路用于根据温度信息控制对加热部件的加热功率。通过加热部件和测温部件将气体传感器及壳体内部控制在合适的温度,降低气体传感器的温漂,同时避免环境湿度过高温度变化引起水蒸气结露对气体传感器性能的影响,提高其检测精度。

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