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公开(公告)号：CN119997780A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411932313.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种全蒸镀型钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池及其制备方法，属于光伏器件技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、在晶硅基底的一侧蒸镀空穴传输层；所述空穴传输层的材料在蒸镀前经过预熔处理；S2、在空穴传输层表面依次蒸镀钙钛矿层、电子传输层、空穴阻挡层、抗反射层和顶部电极层；S3、在晶硅基底的另一侧蒸镀底部电极层，得到全蒸镀型钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池。通过预熔和蒸镀相结合的操作，解决了自组装分子作为空穴传输材料蒸镀困难的问题，另外，通过调节蒸镀速率比例调控钙钛矿组分比例，解决了与晶硅基底带隙适配问题，最终实现了钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池的全蒸镀制备，且制备的器件性能优异。
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公开(公告)号：CN119265518A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411132200.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种蒸镀制备钙钛矿薄膜的方法及其在钙钛矿光伏器件中的应用，所述方法包括以下步骤：S1、将衬底置于蒸镀腔体内，共蒸镀无机盐及诱导剂，所述无机盐包含碘化铅，所述诱导剂选自碘化亚铜、碘甲烷、氢碘酸中的一种或多种；S2、再蒸镀有机盐，进行退火处理，在衬底表面形成所述钙钛矿薄膜；所述有机盐包含FAI。本发明通过在顺序蒸镀过程中引入诱导剂增加碘化铅与FAI的强耦合作用，促进二者的反应，获得低缺陷、高结晶质量的钙钛矿薄膜。本发明还提供了一种全蒸镀制备钙钛矿光伏器件的方法，有利于实现钙钛矿太阳能电池的工业化生产，且制备的钙钛矿光伏器件具有高转换效率及良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN118895563A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410934664.9
申请日：2024-07-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种诱导晶体晶面有序排布生长的方法及其在钙钛矿光伏器件中的应用，包括以下步骤：S1、采用改性剂对基底表面进行改性处理；所述改性剂包含锚定基团及晶面诱导基团，所述锚定基团用于锚定所述基底，所述晶面诱导基团用于抑制和/或增强待生长材料晶体的特定晶面的生长；S2、将包含待生长材料的溶液置于改性处理后的基底表面上，进行晶体生长，在基底表面形成晶面有序排布生长的晶体。通过上述方法可制备得到晶面(100)择优取向生长且晶面(100)所在平面与基底表面平行的钙钛矿薄膜，使包含该钙钛矿薄膜的光伏器件的转换效率高达26.18％，且在最大功率点运行2400小时后转换效率仍可保持初始转换效率的91％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728111B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811568228.5
申请日：2018-12-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法，包括以下步骤：（1）于处理后的FTO基片上沉积电子传输层TiO2；（2）制备钙钛矿前驱体溶液，其掺杂有溴化铜粉末（3）将制备的钙钛矿前驱体溶液在沉积好TiO2的FTO基片上利用旋涂法制备薄膜，旋涂后将基片转移至加热台上进行退火处理；（4）利用旋涂法制备空穴传输层；（5）在步骤（4）制备的空穴传输层上利用热蒸发技术沉积薄膜三氧化钼和银电极。该方法有效提高了器件的载流子迁移率和器件稳定性，并成功将全无机钙钛矿太阳能电池的PCE从13.24%提升到了16.15%，这也是目前为止CsPbBrI2体系全无机钙钛矿太阳能电池的最高效率。
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公开(公告)号：CN113346025B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110484261.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能钙钛矿室内光伏器件及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：（1）将导电基片清洗烘干后用紫外进行处理，再将处理后的导电基片利用水热法沉积电子传输层；（2）室内光伏用钙钛矿薄膜层的制备：（3）空穴传输层的制备：（4）MoO3和Ag电极制备。本发明从钙钛矿材料的选取，到PIPVs结构的选取，再到制备高性能的PIPVs的制备过程。本发明为制备高性能PIPVs指明了方向，提供了完整的器件制备方法。有力推动了钙钛矿室内光伏的发展，并有希望将PIPVs成功运用于高速发展的物联网中，推动钙钛矿光伏产业的发展。
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公开(公告)号：CN109728111A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811568228.5
申请日：2018-12-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法，包括以下步骤：（1）于处理后的FTO基片上沉积电子传输层TiO2；（2）制备钙钛矿前驱体溶液，其掺杂有溴化铜粉末（3）将制备的钙钛矿前驱体溶液在沉积好TiO2的FTO基片上利用旋涂法制备薄膜，旋涂后将基片转移至加热台上进行退火处理；（4）利用旋涂法制备空穴传输层；（5）在步骤（4）制备的空穴传输层上利用热蒸发技术沉积薄膜三氧化钼和银电极。该方法有效提高了器件的载流子迁移率和器件稳定性，并成功将全无机钙钛矿太阳能电池的PCE从13.24%提升到了16.15%，这也是目前为止CsPbBrI2体系全无机钙钛矿太阳能电池的最高效率。
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公开(公告)号：CN119997781A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411932314.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有钝化层的钙钛矿薄膜及其制备方法与应用，属于光伏器件技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、依次在衬底表面蒸镀无机盐层和有机盐层形成钙钛矿薄膜；S2、在钙钛矿薄膜表面蒸镀钝化剂，经退火，得到具有钝化层的钙钛矿薄膜；所述钝化剂为菲咯啉类化合物。通过将钝化剂蒸镀在钙钛矿薄膜上，共退火，可有效抑制钙钛矿薄膜的缺陷以及改善薄膜的结晶质量，这是由于钝化剂与未配位的金属离子形成配位键，大大降低了钙钛矿薄膜的缺陷。
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公开(公告)号：CN113346025A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110484261.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能钙钛矿室内光伏器件及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：（1）将导电基片清洗烘干后用紫外进行处理，再将处理后的导电基片利用水热法沉积电子传输层；（2）室内光伏用钙钛矿薄膜层的制备：（3）空穴传输层的制备：（4）MoO3和Ag电极制备。本发明从钙钛矿材料的选取，到PIPVs结构的选取，再到制备高性能的PIPVs的制备过程。本发明为制备高性能PIPVs指明了方向，提供了完整的器件制备方法。有力推动了钙钛矿室内光伏的发展，并有希望将PIPVs成功运用于高速发展的物联网中，推动钙钛矿光伏产业的发展。
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