公开(公告)号：CN110867532A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911156849.7

申请日：2019-11-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  沈万姗 ,  苑帅 ,  田起生

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：将空穴注入层材料的有机溶液涂覆至导电基底表面，退火后，形成空穴注入层；将溴化铯、溴化铅和苯乙基溴化胺在3-(癸基二甲基铵)丙烷-1-磺酸内盐表面活性剂的作用下溶于有机溶剂，得到钙钛矿前驱体溶液，将其涂覆至空穴注入层表面，退火后得到钙钛矿薄膜；采用烷基胺有机溶液处理钙钛矿薄膜的表面，形成发光层；在发光层表面依次制备电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明方法简单便捷，材料易于获取，重复性好，器件性能稳定。通过表面配体交换，钙钛矿薄膜的平整性和均一性得到提高，缺陷的形成得到有效抑制，器件的整体性能得到显著改善。

公开(公告)号：CN119584770A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510106374.X

申请日：2025-01-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  王亚坤 ,  沈万姗

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/84 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种基于量子点的发光二极管器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的基于量子点的发光二极管器件，包括发光层；所述发光层的材料包括胶体量子点和有机发光材料；所述胶体量子点和有机发光材料的质量比为100:（0.1‑20）；所述胶体量子点的分布间隙大于所述有机发光材料的晶胞尺寸。通过选择合适的胶体量子点和有机发光材料进行复配，减少点间隙缺陷，抑制非辐射复合，优化器件功能层结构提高载流子注入效率，从而提高胶体量子点发光层的光电性能。

公开(公告)号：CN117202674A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311123956.6

申请日：2023-09-01

Applicant: 苏州大学

Inventor： 廖良生 ,  王亚坤 ,  沈万姗

IPC: H10K30/15 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明涉及一种厚度不敏感近红外量子点发光器件及其制备方法，属于半导体器件领域。本发明的近红外量子点发光器件包括发光层；所述发光层包括核壳结构的量子点薄膜，以及所述量子点薄膜表面含有的双功能连接剂；所述双功能连接剂中含有硫醇基团；所述近红外量子点发光器件发光层的厚度大于等于40nm。红外发光器件的发光波长为750nm‑2500nm，通过将量子点封装在I型无机壳中来提高辐射复合，从而获得了80％的高光致发光量子产率，并使用双功能连接剂对薄膜进行后处理，以提高和平衡整个薄膜的空穴和电子迁移率，制备得到了高效稳定且厚度不敏感的近红外量子点发光器件。