公开(公告)号：CN119384150A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411961884.7

申请日：2024-12-30

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨浚 ,  杨阵海 ,  曹国洋 ,  秦琳玲 ,  王长擂 ,  李孝峰

IPC: H10K30/87 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/88 ,  H10K71/00 ,  H10K39/15 ,  H10F71/00 ,  H10F77/42 ,  H10F19/80

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池包括衬底，其上设置有陷光层；所述陷光层上具有若干圆形凹陷，所述圆形凹陷之间相连或不相连且贯穿所述陷光层。本发明通过陷光层上的图案化结构，大幅增强了光线捕获效率，有效缓解了反射损耗的难题，同时实现了SiOx材料在钝化硅片表面缺陷方面的潜力，显著优化了钝化接触效能，并有效规避了中间层ITO的横向损耗问题。此外，还促进了钙钛矿顶层电池的沉积，保障了钙钛矿薄膜的高品质形成。