一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN116666464A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310799049.7

    申请日:2023-07-03

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包括:上方硅薄膜、顶部导电电极、金属光栅、钛薄膜、硅基底、底部导电电极;所述钛薄膜、金属光栅、钛薄膜、上方硅薄膜依次设置于所述硅基底上;所述底部导电电极连接于硅基底下方;所述顶部导电电极与所述金属光栅固定连接;所述钛薄膜作为粘附层连接所述硅基底和所述金属光栅以及所述金属光栅和所述上方硅薄膜;本发明采用金属材料作为吸光层,通过基于双硅层进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率,提高了热电子转移到硅中的收集效率,通过改变金属光栅宽度可调节探测器的响应波长,进而实现窄带的光电探测。

    一种限域退火法及钙钛矿薄膜或太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN115312667A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210449863.1

    申请日:2022-04-26

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开一种限域退火法及钙钛矿薄膜或太阳能电池的制备方法。该制备方法包括:将正面涂有钙钛矿前驱液薄膜的基底放置于加热板上,加热板与基底背面直接接触,将加热板温度设置为第一温度,通过控制第一温度及加热时长控制钙钛矿前驱液薄膜中溶剂的蒸发量与剩余量,钙钛矿前驱液中溶解的钙钛矿前驱材料结晶为钙钛矿晶粒从而形成钙钛矿中间相薄膜;基底背面向上将钙钛矿中间相薄膜放置于所述透气性薄膜上,继续加热,残余溶剂在挥发时促使相邻钙钛矿晶粒边界溶解后互融;将加热板温度缓慢升温至第二加热温度并继续加热,钙钛矿晶粒发生相变形成所述钙钛矿吸光层。通过该制备方法,提升了钙钛矿结晶质量,使得钙钛矿吸光层的性能参数得到提升。

    一种嵌套光栅结构的双极性自驱动偏振光探测器

    公开(公告)号:CN115132925A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210660787.9

    申请日:2022-06-13

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种嵌套光栅结构的双极性自驱动偏振光探测器,属于光电探测领域。所述探测器为嵌套光栅结构,包括二氧化硅/硅衬底、设置于衬底上的金属纳米线光栅阵列,包覆于金属纳米线光栅阵列外的半导体层以及包覆于半导体层外的透明导电层。该探测器可实现正交的TE和TM偏振光照下器件在零偏压下获得等大反向的信号电流,从而有效规避掉背景自然光对信号光的干扰,大幅提升偏振探测器的探测能力。另外,针对该纳米级探测器,在制备过程中,为尽可能避免由于尺寸误差所带来的光学性能及电学性能的变化,本申请在利用磁控溅射法在氧化锡层外制备导电层时,先通过原子层沉积法在钙钛矿层外生长一层氧化锡作为牺牲层。

    一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器

    公开(公告)号:CN117560976A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202410034889.9

    申请日:2024-01-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器,涉及光电探测器领域,基于混维异质结光电探测器的性能提升方法包括建立评价光电探测器的性能指标,定义为响应度‑带宽积;调控混维异质结光电探测器的陷阱水平使所述光电探测器的所述性能指标达到第一响应度‑带宽积;调控入射光功率密度使所述光电探测器的所述性能指标达到第二响应度‑带宽积;对底部栅极进行调控使所述光电探测器的所述性能指标达到第三响应度‑带宽积;将所述第一响应度‑带宽积、第二响应度‑带宽积、第三响应度‑带宽积中值最大的一个作为所述光电探测器最佳的所述性能指标。本发明通过陷阱效应,光门控效应以及栅极调控三种机制协同作用,突破了光电探测器的响应度与响应时间的权衡,提升了光电探测器的综合性能。

    一种钙钛矿光电探测器、阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN114927617A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210643740.1

    申请日:2022-06-08

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于可见光通信技术领域,公开了一种钙钛矿光电探测器、阵列及制备方法;钙钛矿光电探测器用于可见光通信,为复合层式结构,包括透明基底,透明基底上依次沉积的透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、麦芽酚修饰层、PCBM修饰层、电子传输层、第二导电层。在钙钛矿吸光层表面修饰麦芽酚修饰层,可以通过强金属螯合作用来消除钙钛矿吸光层中的锡离子相关陷阱。修饰的PCBM修饰层能与电子传输层形成双层电子传输结构,可有效促进光生载流子的传输和提取。麦芽酚修饰层和PCBM修饰层带来的钙钛矿吸光层的结晶质量和电荷转移特性的提高,可以提高单个钙钛矿光电探测器的响应速度、工作带宽、光响应度和比探测率。

    一种局部接触介质层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN119816081A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510296359.6

    申请日:2025-03-13

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种局部接触介质层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池领域,局部接触介质层包括的截面形状为梯形,所述梯形的高为10~200nm;所述梯形的下底与电子传输层相连,其余部位嵌入钙钛矿吸收层。本发明通过将梯形绝缘钝化材料设置在钙钛矿层和电子传输层之间,有效提升钙钛矿层光吸收率的同时,使得载流子在局部钝化结构处行成一种特殊的电荷传输结构,实现了高效钝化钙钛矿层和电子传输层之间界面的效果,降低了界面复合,同时做到了不影响钙钛矿层与电子传输层之间载流子的传输,实现了高开路电压和高填充因子之间的平衡。

    一种全钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN119277883A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411818801.9

    申请日:2024-12-11

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种全钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池领域,全钙钛矿叠层太阳能电池包括沿入射光方向依次堆叠的透明基底层、第一电极层以及第一宽带隙子电池功能层;所述透明基底层远离入射光的一侧为绒面;所述第一电极层厚度均匀地覆盖在所述透明基底层上;所述第一宽带隙子电池功能层厚度均匀地覆盖在所述第一电极层上;所述第一电极层为透明电极。本发明提供的微纳结构减反射效果稳定,适用于各种不同材料与构型的全钙钛矿叠层太阳电池;能够显著提高太阳能电池的工作光谱波段的光吸收能力,极大提升光电流而且器件易于制备,无需引入额外工艺流程使钙钛矿与微纳结构共形生长,显著降低生产过程的技术要求和生产成本。

    一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器

    公开(公告)号:CN117560976B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410034889.9

    申请日:2024-01-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器,涉及光电探测器领域,基于混维异质结光电探测器的性能提升方法包括建立评价光电探测器的性能指标,定义为响应度‑带宽积;调控混维异质结光电探测器的陷阱水平使所述光电探测器的所述性能指标达到第一响应度‑带宽积;调控入射光功率密度使所述光电探测器的所述性能指标达到第二响应度‑带宽积;对底部栅极进行调控使所述光电探测器的所述性能指标达到第三响应度‑带宽积;将所述第一响应度‑带宽积、第二响应度‑带宽积、第三响应度‑带宽积中值最大的一个作为所述光电探测器最佳的所述性能指标。本发明通过陷阱效应,光门控效应以及栅极调控三种机制协同作用,突破了光电探测器的响应度与响应时间的权衡,提升了光电探测器的综合性能。

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