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公开(公告)号：CN114318492B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210002574.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件。该制备方法包括：在基底上制备获得由多个间隔开布置的微沟道组成的微沟道阵列；加热基底；将钙钛矿前驱体溶液施加到微沟道阵列中；在施加有钙钛矿前驱体溶液的基底上贴附软体刀片，并使软体刀片的底面至少能够完全覆盖微沟道阵列；控制软体刀片以预设速度从微沟道阵列的一端朝向另一端移动，以逐渐暴露出微沟道阵列，从而使得微沟道阵列内的钙钛矿前驱体溶液在软体刀片的头部结晶，并在微沟道阵列完全暴露出时结晶形成钙钛矿单晶阵列。本发明方案可以制备出大面积的钙钛矿单晶，并且可以根据需要设计微沟道阵列中微沟道的深度，进而可以控制该钙钛矿单晶的厚度。
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公开(公告)号：CN114318492A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210002574.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件。该制备方法包括：在基底上制备获得由多个间隔开布置的微沟道组成的微沟道阵列；加热基底；将钙钛矿前驱体溶液施加到微沟道阵列中；在施加有钙钛矿前驱体溶液的基底上贴附软体刀片，并使软体刀片的底面至少能够完全覆盖微沟道阵列；控制软体刀片以预设速度从微沟道阵列的一端朝向另一端移动，以逐渐暴露出微沟道阵列，从而使得微沟道阵列内的钙钛矿前驱体溶液在软体刀片的头部结晶，并在微沟道阵列完全暴露出时结晶形成钙钛矿单晶阵列。本发明方案可以制备出大面积的钙钛矿单晶，并且可以根据需要设计微沟道阵列中微沟道的深度，进而可以控制该钙钛矿单晶的厚度。
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