-
公开(公告)号：CN116444674B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211456513.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 苏州大学
Inventor： 邓巍
Abstract: 本发明公开了一种抗血管性血友病因子抗体及其应用，属于生物技术领域。本发明抗血管性血友病因子抗体的可变区氨基酸序列如SEQ ID NO.1‑2所示，由氨基酸序列如SEQ ID NO.3所示的多肽抗原免疫动物得到，该抗体能够特异性结合活化后的VWF分子，注射至体内后不会引起体内血浆VWF含量下降、不影响血浆FVIII活性、且能降低出血风险，同时可以缓解TTP小鼠血小板减少和红细胞破碎症状，可作为血栓性疾病治疗药物的有力备选。
-
公开(公告)号：CN118076124A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410192457.0
申请日：2024-02-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种超柔集成光响应器件及其制备方法，包括：自下而上依次设置在基底上的超柔派瑞林薄膜、PVCn钝化层、有机光电压分压器及栅极电路、HfO2介电层、晶体管源漏叉指电极电路和C8‑BTBT半导体层；有机光电压分压器及栅极电路中的两个叉指电极处分别为光敏电阻和有机负载电阻，光敏电阻和有机负载电阻之间连接有栅极电路；晶体管源漏叉指电极电路包括构筑在栅极电路上的若干个场效应晶体管。本发明通过采用PPG透射模式，基于C8—BTBT单晶构筑的有机场效应晶体管及有机光电分压器两部分实现光电探测器的构筑，具有高信噪比、高响应度及高比探测率的优点，并使用该光电传感器将透过手指组织的近红外光信号转换为电流信号，从而实现心率监测。
-
公开(公告)号：CN116648120A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310436389.3
申请日：2023-04-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了二维晶态薄膜及其制备方法及有机场效应晶体管阵列，涉及有机场效应晶体管技术领域。本发明先将掩膜板覆盖在基底上，并进行显影处理后获得表面形成有图案的图案化基底，图案由多个呈阵列式布置的多个图形结构组成，每个图形结构的尾端呈尖角状，然后对图案化基底进行疏水化处理，之后去除掩膜板，以获得图案化润湿基底，最后将混合溶液按照预设刮涂方向刮涂在图案化润湿基底上，从而制备出二维晶态薄膜。上述技术方案中将图形结构尾端的尖角状，可以在由图形结构前端往尾端刮涂混合溶液时显著降低混合溶液拖尾现象中的液桥宽度，减少液体回流量，进而降低溶液返流对晶体稳定生长的影响，从而提高了晶体的形貌保真度。
-
公开(公告)号：CN111697134B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010449299.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底；在基底上设置绝缘层；在绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻，以在基底上构筑三维立体通道；配置C60溶液，将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中，并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来，以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法，可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单，有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长，适合大面积推广应用。
-
公开(公告)号：CN109841737B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910147496.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764588A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110720722.4
申请日：2021-06-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶光电晶体管及仿生光子器件。该有机单晶光电晶体管由下至上依次形成有栅极、第一绝缘层、光吸收层和第二绝缘层；所述光吸收层的材料选择为能够吸光且在光照条件下产生光生载流子，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均选择为含活性官能团的聚合物绝缘材料，且所述第一绝缘层选择为其活性官能团能够在所述光照条件以及所述栅极被施加栅压时捕获所述光生载流子中的电子，所述第一绝缘层和所述光吸收层之间互不相溶，且所述第二绝缘层和所述光吸收层之间互不相溶。本发明的有机单晶光电晶体管提高了器件对弱光的探测能力。
-
-
公开(公告)号：CN111554812A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010408931.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层，并在绝缘层上旋涂光刻胶，以通过光刻技术在基底上得到图案化阵列位点；配置液晶小分子溶液以作为墨水，将墨水打印至图案化阵列位点上，以得到具有液晶小分子的图案化基底；对图案化基底进行热处理，以使图案化阵列位点上的液晶小分子融化和铺展，且在液晶小分子融化后进行降温处理，以使融化后的液晶小分子重结晶，得到图案化有机晶体阵列。本发明的制备方法，利用喷墨打印技术并结合液晶小分子重熔再结晶的特性得到图案化有机晶体阵列，有效防止有机晶体阵列在图案化过程中产生咖啡环效应。
-
公开(公告)号：CN109841737A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910147496.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。
-
公开(公告)号：CN108342779A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810176116.9
申请日：2018-03-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B29/54 , C30B7/00 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P-N异质结阵列。制备的微米带P-N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P-N异质结。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.025 seconds)
