-
公开(公告)号：CN105137712A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510428057.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 苏州大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法，分为两部分，一部分制备压印模板：首先，SiO2/Si片基底清洗干净；然后，基底经过正胶光刻、显影，得到阵列化的图形；接着用反应离子刻蚀机刻蚀光刻后的SiO2/Si片基底；随后去胶，获得周期性排布的高低不一的模板；接着在SiO2/Si片基底上旋涂全氟树脂，最后加热，压印模板制备完成。另一部分制备压印基底：首先，取一洗净的SiO2/Si片；然后，用步进式精密升降台在基底上提拉出一层有机小分子膜，压印基底制备完成。最后，将压印模板盖在基底上，施加一定压力，再加热至该有机小分子的熔点，恒温15min后停止加热，降至室温后取出基底，便得到周期性、大面积的有机小分子单晶微米线图案化阵列。
Search Results
1
records
(took 0.031 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
