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公开(公告)号:CN119277869B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411769285.5
申请日:2024-12-04
Applicant: 苏州大学
IPC: H10H20/856 , H10H20/841 , H10H20/855 , H10H20/01
Abstract: 本发明属于Micro‑LED技术领域,涉及一种具有准直超表面结构的Micro‑LED及其制备方法;该Micro‑LED包括:Micro‑LED发光结构与准直超表面结构;准直超表面结构设置于Micro‑LED发光结构的出光面一侧,用于对Micro‑LED发光结构出射的光进行准直滤波,以使得Micro‑LED的出射光的角度小于设定角度;其中,准直超表面结构包括第一介质层与第二介质层,第一介质层设置于Micro‑LED发光结构上,第一介质层包括多个第一准直柱体,相邻两个第一准直柱体之间具有凹槽;第二介质层设置于凹槽的底部与第一准直柱体的顶部;第一介质层的折射率小于第二介质层的折射率。通过采用本方案,可提高正入射光的强度以及透射率,降低斜入射光的强度和透射率,实现光的准直效果,且可提升发光效率。
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公开(公告)号:CN119277869A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411769285.5
申请日:2024-12-04
Applicant: 苏州大学
IPC: H10H20/856 , H10H20/841 , H10H20/855 , H10H20/01
Abstract: 本发明属于Micro‑LED技术领域,涉及一种具有准直超表面结构的Micro‑LED及其制备方法;该Micro‑LED包括:Micro‑LED发光结构与准直超表面结构;准直超表面结构设置于Micro‑LED发光结构的出光面一侧,用于对Micro‑LED发光结构出射的光进行准直滤波,以使得Micro‑LED的出射光的角度小于设定角度;其中,准直超表面结构包括第一介质层与第二介质层,第一介质层设置于Micro‑LED发光结构上,第一介质层包括多个第一准直柱体,相邻两个第一准直柱体之间具有凹槽;第二介质层设置于凹槽的底部与第一准直柱体的顶部;第一介质层的折射率小于第二介质层的折射率。通过采用本方案,可提高正入射光的强度以及透射率,降低斜入射光的强度和透射率,实现光的准直效果,且可提升发光效率。
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公开(公告)号:CN119916512A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202510413933.1
申请日:2025-04-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于光学防伪技术领域,涉及一种光学防伪GaN超表面及光学防伪产品;该光学防伪超表面包括:基底层与光反射结构;光反射结构设置于基底层一侧表面,用于对入射光进行反射,从而输出在设定角度范围内波长连续变化的出射光;其中,光反射结构包括多个第一反射柱体,多个第一反射柱体呈阵列排布在基底层一侧表面,相邻两个第一反射柱体之间具有凹槽。通过采用本方案提供的光学防伪GaN超表面,能够对入射光进行10 nm级窄带波长选择,在太阳光照射条件下即可基于人眼视觉在超表面所在平面内任意方位观察到极高饱和度颜色的出射光,且出射光颜色随观察角度连续变化,从而实现光学防伪功能,无需使用特殊光学材料,成本较低且结构简单。
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