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公开(公告)号：CN119956335A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410382521.1
申请日：2024-03-29
Applicant: 苏州大学 , 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种批量化制备大尺寸高质量石墨烯晶圆的装置及方法。该装置包括石英管、加热组件、晶圆载具，加热组件采用中频线圈与石墨筒发热体配合，石墨筒发热体位于石英管内部，中频线圈位于石英管外部，与石墨筒发热体平齐，用于感应加热石墨筒发热体；晶圆载具上设置有若干限位部件，用于限定多片所述晶圆的位置。
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公开(公告)号：CN119240682A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411461808.X
申请日：2024-10-18
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的处理方法及该处理方法得到的石墨烯薄膜。所述石墨烯薄膜的处理方法，包括：采用臭氧对石墨烯薄膜进行处理。本发明采用温和的臭氧(O3)处理石墨烯薄膜，不会改变石墨烯晶格结构。同时，由于臭氧氧化性极强，能够有效去除有机杂质和污染物，同时也能改变材料表面的化学性质。首先，通过臭氧处理可以在石墨烯表面引入含氧官能团(如羧基、羟基等)，提升其亲水性，增加与其他材料的结合能力。其次，臭氧处理可以优化石墨烯的电导性，提升其在光电子器件或电子器件中的性能，例如在电池、电容器、场效应晶体管或霍尔元件等中的应用。本发明的方法简便快捷，有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN114804082B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210356236.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种台阶调控的石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法。该制备方法包括：将蓝宝石晶圆进行预处理；将预处理的蓝宝石晶圆衬底置于石墨盘中，电磁感应加热，压强抽至10Pa，设置生长压强，生长温度和生长时间；待温度升至200℃‑500℃时，通入氩气，继续升温至600℃‑800℃时，通入氢气；温度升高至生长温度时，通入生长气；待生长结束后，停止通入生长气，在氩气和氢气环境下降温，待温度低于500℃时，关闭氢气，待温度低于100℃时，关闭氩气，进行破真空处理，得到石墨烯蓝宝石晶圆。通过上述方法可以制备得到高品质的石墨烯蓝宝石晶圆。
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公开(公告)号：CN107845798A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711071986.1
申请日：2017-11-03
IPC: H01M4/36 , H01M4/60 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池正极材料的制备方法，取稠环化合物加入到盐酸溶液中，搅拌使酸化，然后在冰乙醇浴的条件下加入多壁碳纳米管，搅拌混合均匀；再加入亚硝酸钠水溶液，继续冰浴搅拌，然后加入50wt％的次亚磷酸溶液，并加热至70-80℃，搅拌后进行抽滤，滤渣用甲苯清洗后再烘干，得到接有碳纳米管的稠环化合物，将其和酸酐、氯化锌按摩尔比1:1:2混合研磨，并进行焙烧，产物加入到稀盐酸溶液中进行搅拌酸解，然后抽滤，得到粗产品，粗产品依次用去离子水、乙醇、甲苯各回流一次，各自的回流时间为12～24h，最后进行真空干燥，即得。本发明制得的材料导电性能佳，能量密度高，在半电池测试中具有较好的循环和倍率性能。
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公开(公告)号：CN119351993A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411463808.3
申请日：2024-10-18
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 苏州大学 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本公开涉及化学气相沉积制备技术领域，尤其是涉及一种加热装置、CVD设备及方法。加热装置包括线圈组件、石墨盘和导热垫片，线圈组件包括线圈和供电装置，线圈用于设置在CVD设备的腔室的周向外表面，供电装置用于向线圈供电，以使腔室内产生磁场；石墨盘用于安装于腔室内，石墨盘能够产生热量；导热垫片位于石墨盘上，与石墨盘同轴设置，导热垫片的直径小于石墨盘的直径；导热垫片用于承托晶圆，晶圆的直径大于导热垫片的直径，晶圆包括第一区域和第二区域，第一区域能够与导热垫片直接接触，第二区域与石墨盘之间间隙设置。通过热传导和热辐射相结合的加热方式，提高了晶圆温度分布的均匀性，有利于提高二维材料薄膜的均匀性和质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114655947A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210356241.4
申请日：2022-04-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B32/186 , B01J23/28
Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法。该生长方法是将Mo金属溅射在绝缘衬底上；将溅射有Mo金属的绝缘衬底依次进行氧化处理、碳化处理，CVD生长石墨烯，然后去除Mo金属层，完成绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯。该方法对溅射的Mo金属进行先氧化后碳化的预处理，在生长结束后，Mo金属层很容易被高速气流吹掉，直接在绝缘衬底表面获得石墨烯。
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公开(公告)号：CN119797352A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510038432.X
申请日：2025-01-09
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明公开一种清洁石墨烯表面的方法，采用电子束辐照清洁石墨烯表面。本发明的方法，可以实现石墨烯薄膜表面污染物的原位清洗，且可以不破坏石墨烯晶格结构。本发明的方法操作简单、清洗速率快、对污染物可实现定点清除，且对于不同种类的污染物均具有较好的清洁效果，方法普适度高，对于进一步实现和拓展CVD法制备石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN118563275A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410484089.7
申请日：2024-04-22
Abstract: 本发明公开了一种原位氮掺杂石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法,包括以下步骤：S1、将经过清洗和干燥预处理后的蓝宝石晶圆置于管式炉，压强抽至设定压强；S2、升温至第一温度，然后通入氩气，继续升温至第二温度，通入氢气，继续升温至生长温度并稳定5‑60分钟，引入生长碳源和生长氮源，保持一定的生长时间；S3、待生长结束后，停止引入生长碳源和生长氮源，在氩气和氢气环境下降温，在降温过程中，先停止通入氢气，后停止通入氩气；S4、进行破真空处理，得到原位氮掺杂石墨烯蓝宝石晶圆。本发明能够制备得到高品质的原位氮掺石墨烯蓝宝石晶圆，具有均匀性高、平整度好的优点，且通过反应条件改变能够调控氮掺杂种类。
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公开(公告)号：CN115385724A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210551923.0
申请日：2022-05-18
Abstract: 本发明公开一种改性陶瓷分离膜，包括陶瓷分离膜和直接生长在所述陶瓷分离膜表面的石墨烯层。本发明的改性陶瓷分离膜，在陶瓷分离膜表面直接生长石墨烯层，经过石墨烯层的改性，陶瓷分离膜具有良好的疏水性能，同时石墨烯层具有独特的孔状结构，有利于油脂类化合物的有效通过，降低陶瓷分离膜的平均孔径，提升离子以及大分子物质的截留率，实现物质的油水分离性能，可以应用于含油废水的处理以及高价值油水的回收等。
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公开(公告)号：CN114804082A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210356236.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种台阶调控的石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法。该制备方法包括：将蓝宝石晶圆进行预处理；将预处理的蓝宝石晶圆衬底置于石墨盘中，电磁感应加热，压强抽至10Pa，设置生长压强，生长温度和生长时间；待温度升至200℃‑500℃时，通入氩气，继续升温至600℃‑800℃时，通入氢气；温度升高至生长温度时，通入生长气；待生长结束后，停止通入生长气，在氩气和氢气环境下降温，待温度低于500℃时，关闭氢气，待温度低于100℃时，关闭氩气，进行破真空处理，得到石墨烯蓝宝石晶圆。通过上述方法可以制备得到高品质的石墨烯蓝宝石晶圆。
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