一种台阶调控的石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法

    公开(公告)号:CN114804082B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202210356236.3

    申请日:2022-04-06

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种台阶调控的石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法。该制备方法包括:将蓝宝石晶圆进行预处理;将预处理的蓝宝石晶圆衬底置于石墨盘中,电磁感应加热,压强抽至10Pa,设置生长压强,生长温度和生长时间;待温度升至200℃‑500℃时,通入氩气,继续升温至600℃‑800℃时,通入氢气;温度升高至生长温度时,通入生长气;待生长结束后,停止通入生长气,在氩气和氢气环境下降温,待温度低于500℃时,关闭氢气,待温度低于100℃时,关闭氩气,进行破真空处理,得到石墨烯蓝宝石晶圆。通过上述方法可以制备得到高品质的石墨烯蓝宝石晶圆。

    石墨烯基异质结玻璃纤维隔膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114865223A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210483506.7

    申请日:2022-05-06

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种石墨烯基异质结玻璃纤维隔膜及其制备方法和应用。该制备方法包括:将玻璃纤维作为衬底,放入CVD炉中,抽至真空,通入100‑200sccm氩气进行洗气,当温度升至500‑550℃时,打开射频等离子体60‑80W同时引入10‑15sccm甲烷,进行石墨烯生长,关闭射频等离子体和甲烷,在氩气和氢气气氛下降温至室温,关闭氢气,关闭氩气,得到石墨烯玻璃纤维隔膜;将石墨烯玻璃纤维隔膜放置在金属盐溶液中浸泡15‑30min,烘干后放入CVD炉中游,硒粉放置于炉子上游,设置生长参数在常压下生长,得到石墨烯基异质结玻璃纤维隔膜。含有上述石墨烯基异质结玻璃纤维隔膜的锂硫电池具有较优异的容量。

    一种台阶调控的石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法

    公开(公告)号:CN114804082A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210356236.3

    申请日:2022-04-06

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供了一种台阶调控的石墨烯蓝宝石晶圆及其制备方法。该制备方法包括:将蓝宝石晶圆进行预处理;将预处理的蓝宝石晶圆衬底置于石墨盘中,电磁感应加热,压强抽至10Pa,设置生长压强,生长温度和生长时间;待温度升至200℃‑500℃时,通入氩气,继续升温至600℃‑800℃时,通入氢气;温度升高至生长温度时,通入生长气;待生长结束后,停止通入生长气,在氩气和氢气环境下降温,待温度低于500℃时,关闭氢气,待温度低于100℃时,关闭氩气,进行破真空处理,得到石墨烯蓝宝石晶圆。通过上述方法可以制备得到高品质的石墨烯蓝宝石晶圆。

    加热炉及CVD反应装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216808956U

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202220338786.8

    申请日:2022-02-18

    Abstract: 本实用新型公开一种加热炉及CVD反应装置,加热炉包括石英管和电加热组件,石英管内部具有腔室;电加热组件包括线圈、电源和石墨盘,线圈与电源电连接,且线圈螺旋地缠绕在石英管的外周,用于通电后在腔室内产生磁场;石墨盘被配置为能够进出腔室,且能够与线圈对应设置,用于在磁场的作用下产生热量;石墨盘用于承托晶圆衬底,晶圆衬底的一侧表面用于生长石墨烯。通过提高加热温度,有助于获得较高质量的石墨烯,并且可实现高质量石墨烯薄膜在晶圆衬底上的直接制备。并且,仅在石墨盘上加热,可以显著降低反应气体的温度,抑制气相副反应,进一步提高石墨烯生长质量。

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