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公开(公告)号：CN118888633A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921572.7
申请日：2024-07-10
申请人： 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/115 , H10K71/00 , H10K30/60 , H10K85/50
摘要： 本发明公开了一种基于层压梯度异质结的多能X射线探测器的制备方法，包括制备至少3种不同卤素的钙钛矿微晶粉末；通过粉末热压法制备依次层叠的至少3层钙钛矿晶片，其中，相邻两层的钙钛矿晶片形成卤素梯度异质结；在钙钛矿异质结晶片的侧面相对的两个表面分别制备阴极条状电极和阳极条状电极。通过粉末热压法制备钙钛矿晶片作为X射线探测器的活性层，可以利用较厚的钙钛矿晶片充分吸收和沉积高能X射线能量，提高探测器对X射线光子探测效率；同时，相邻两层的钙钛矿晶片能够形成卤素梯度异质结，由于不同能量X射线的穿透深度不同且梯度异质结每层的密度梯度变化，确保了不同能量的X射线光子沉积在不同层内。
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公开(公告)号：CN118930437A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410996840.1
申请日：2024-07-24
申请人： 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
IPC分类号： C07C209/00 , C04B35/622 , C04B35/515 , C07C211/04
摘要： 本发明公开了一种用于可见光和X射线直接探测的透明陶瓷的制备方法，包括将BX2和AX溶解于有机溶剂中，得到ABX3钙钛矿前驱体溶液；ABX3钙钛矿前驱体溶液，通过加热搅拌析出，得到ABX3微晶；将ABX3微晶进行研磨，通过精细化热压工程处理，得到APbX3透明陶瓷。本发明通过精细的调控热压压力、温度和时间，一方面促进缺陷密度较高的钙钛矿晶片再生长，提高晶片的结晶度、降低缺陷密度、提高空气稳定性，具有良好的光学透明性；另一方面，在热压压力、温度和时间的共同作用下，进一步促进器件表面晶界融合、提高电荷传输性能、降低暗电流，从而获得高效率的可见光和X射线直接探测。
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公开(公告)号：CN115852481A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211609352.8
申请日：2022-12-14
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法，该方法通过激光加热精确控制晶体形核数量为1个，然后采用局部变温加热，促使晶核进一步生长成大面积单晶厚膜。本发明的单晶厚膜生长装置能够持续提供原料，保证了单晶厚膜的持续稳定生长。该方法通过改变两层基板间隔层厚度控制单晶厚膜的厚度，最终获得了大尺寸、高质量且厚度可控的钙钛矿单晶厚膜。此外，该方法和装置还适用于多种钙钛矿材料体系。相较于原始方法，基板无需疏水化处理，降低了形核密度，解决单晶厚膜因供料不足，难以持续稳定生长的难题。该方法和装置可以得到尺寸更大、形状更加规则的钙钛矿单晶厚膜，弥补了现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN116916664A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310998009.5
申请日：2023-08-09
申请人： 东南大学
IPC分类号： H10K30/40 , H10K85/50 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0328 , H10K30/10
摘要： 本发明公开了一种低光谱响应线性相关系数的多层带隙结构光谱探测器。解决现有光谱探测器存在不同偏置电压下探测器光谱响应曲线的线性相关Pearson系数较高的问题。该器件包括金属电极和多层能量带隙结构半导体材料吸收层，其中半导体材料吸收层能量带隙覆盖紫外到近红外范围。在p‑i‑n半导体结中设置若干不同能量带隙的半导体层，通过这些不同能量带隙半导体层调节不同波长入射光的吸收区域，并利用偏置电压控制不同区域光生载流子的传输和复合，进而改变探测器的光谱响应特性。本发明构筑的多层带隙结构的p‑i‑n结光谱探测器，能够使Pearson相关系数显著降低，无需光学元件滤光，通过软件算法，即可实现窄带多光谱重构。
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公开(公告)号：CN117080301A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311048929.7
申请日：2023-08-21
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101
摘要： 本发明公开了一种降低探测器光谱响应线性相关系数的调控方法。解决在窄带和光谱探测中探测器对不同波长通道的响应信号难以区分的问题。将不同波长入射光从该光谱探测器左电极入射，不同波长的光分别被多层能量带隙半导体吸收层的特定区域吸收，通过对半导体吸收层电子亲和势的调控，使探测器空间电荷密度分布产生差异和电场强度变化，从而导致入射光产生的光生载流子的收集产生差异，最终使得不同偏置电压下探测器光谱响应特性可以调控。光谱响应曲线的相关性系数从0.99低到0.56。本发明为后续的光谱信息重构提供了有效探测信号的保障。
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公开(公告)号：CN114464751B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210146756.1
申请日：2022-02-17
申请人： 东南大学
IPC分类号： H10K50/115 , H10K71/00
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。
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公开(公告)号：CN114464751A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210146756.1
申请日：2022-02-17
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高。
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