公开(公告)号：CN114779141A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210448981.0

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  G01R33/385 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN114779139A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210448222.4

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  G01R33/385 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN109490804A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810921098.2

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

CPC classification number: G01R33/60 ,  G01N24/10 ,  G01R33/032 ,  G01R33/1284 ,  G01R33/323 ,  G01R33/34 ,  G01R33/34061 ,  G01R33/36 ,  G01R33/38 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN114779141B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202210448981.0

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  G01R33/385 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN114779140A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210448664.9

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  G01R33/385 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN109490804B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201810921098.2

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN114779139B

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202210448222.4

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  G01R33/385 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。

公开(公告)号：CN114779140B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202210448664.9

申请日：2018-08-14

Applicant: 胜美达集团株式会社

Inventor： 芳井义治 ,  斋藤正树 ,  水落宪和 ,  林宽

IPC: G01R33/38 ,  G01R33/385 ,  H01F5/00 ,  H01F5/04

Abstract: 本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。