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    一种高密度边界双层二硫化钼纳米片及其制备方法
    1.
    发明授权
    一种高密度边界双层二硫化钼纳米片及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN108017090B

    公开(公告)日：2020-06-30

    申请号：CN201711158206.7

    申请日：2017-11-20

    申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院

    发明人： 张璋 ,  苏绍强 ,  周青伟 ,  程鹏飞

    IPC分类号： C01G39/06 ,  C01B3/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

    摘要： 本发明涉及一种高密度边界双层二硫化钼纳米片及其制备方法，所述方法如下：S1：将载玻片作为基底置于氢氟酸中浸泡5～10min，然后清洗除去表面硅酸盐反应生成产物、干燥，备用；S2：用化学气相沉积法，以升华硫与三氧化钼、氯化钼或四硫代钼酸铵分别作为硫源和钼源，用三温区管式炉在基底上生长二硫化钼。本发明提供的双层二硫化钼纳米片尺寸均匀，有更高密度边界，具有良好导电性能和催化性能；并且其制备方法操作简单、工艺流程少、成本低。

    一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法
    2.
    发明授权
    一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN107574456B

    公开(公告)日：2020-01-14

    申请号：CN201710620602.0

    申请日：2017-07-26

    申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院

    发明人： 张璋 ,  胡蝶 ,  向杰 ,  程鹏飞 ,  王新

    IPC分类号： C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  B01J27/051

    摘要： 本发明提供了一种超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线（SiNWs/MoS2）异质结结构材料的制备方法，包括以下步骤：S1.清洗硅片；S2.通过金属纳米颗粒催化辅助刻蚀硅纳米线阵列；S3.将S2中制备得到的硅纳米线阵列作为衬底，以氧化钼与硫粉末为前驱体，退火生长得到超薄二硫化钼纳米片/硅纳米线异质结结构材料。本发明通过构建超薄二硫化钼（MoS2）纳米片/硅纳米线异质结结构，可以有效的提高二硫化钼的催化活性位点密度，既有效提高了硅纳米线的光催化产氢效率又能增加其催化稳定性。该方法制备工艺简单易行，成本低廉，易于大规模生产。

    一种Co掺杂Zn(OH)2纳米片复合材料及其制备方法和应用
    4.
    发明公开
    一种Co掺杂Zn(OH)2纳米片复合材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN108855102A

    公开(公告)日：2018-11-23

    申请号：CN201810643896.3

    申请日：2018-06-21

    申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院

    发明人： 张璋 ,  胡先标 ,  程鹏飞 ,  周青伟 ,  苏绍强 ,  王新

    IPC分类号： B01J23/78 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  C25B11/06 ,  C25B1/04

    摘要： 本发明公开了一种Co掺杂Zn(OH)2纳米片复合材料及其制备方法和应用。该Co掺杂Zn(OH)2纳米片复合材料为三层结构，包括泡沫镍基底层、Zn(OH)2纳米片层、Co掺杂Zn(OH)2纳米片层，其中所述Co掺杂Zn(OH)2纳米片为二维层状双金属氢氧化物，化学式为CoxZn1‑x(OH)2，其中X的取值范围为0.33~0.67。复合材料具有Zn(OH)2纳米片层和Co掺杂Zn(OH)2纳米片层的双催化层，具有良好导电性能和产氧催化活性和稳定性，该制备方法以泡沫镍为基底，通过水热法一步制备得到二维的层状双金属氢氧化物Co掺杂Zn(OH)2纳米片，制备方法简单高效，量大易得，复合材料可广泛应用于电催化分解水产氧催化剂材料中。

    一种镍铁联硒化合物及其制备方法和应用
    6.
    发明公开
    一种镍铁联硒化合物及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN108823591A

    公开(公告)日：2018-11-16

    申请号：CN201810645630.2

    申请日：2018-06-21

    申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院

    发明人： 张璋 ,  胡先标 ,  程鹏飞 ,  周青伟 ,  苏绍强 ,  王新

    IPC分类号： C25B1/04 ,  C25B11/06 ,  C25D9/04

    摘要： 本发明提供了一种镍铁联硒化合物及其制备方法和应用，该镍铁联硒化合物为多面体纳米晶体，化学式为NixFe1-xSe2，其中X的取值为0.5。本发明通过电沉积法在泡沫镍基底上制备得到Ni2Fe(OH)7化合物，与传统使用水热方法所需时间相比，反应时间只需数百秒，大大缩短反应时间，制备过程简单易行，可大面积制备，可以一次性制备出覆盖Ni2Fe(OH)7化合物的基底，再通过溶剂热硒化法将泡沫镍硒化得到镍铁联硒化合物，该化合物显示出良好的产氢以及产氧性能。

    一种二氧化钛掺杂ZIF及其制备方法和应用
    8.
    发明授权
    一种二氧化钛掺杂ZIF及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN108855220B

    公开(公告)日：2020-12-29

    申请号：CN201810709783.9

    申请日：2018-07-02

    申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院

    发明人： 张璋 ,  袁陈 ,  程鹏飞

    IPC分类号： B01J31/16 ,  B01J20/22 ,  C02F1/28 ,  C02F1/30 ,  B01D53/02 ,  C02F101/30

    摘要： 本发明涉及一种二氧化钛掺杂ZIF及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：将二氧化钛纳米粒在超声条件下与溶剂混合后，再与钴源溶液混合，搅拌条件下加入2‑甲基咪唑和溶剂，搅拌，进行反应，离心，烘干即得二氧化钛掺杂ZIF；所述二氧化钛纳米粒和钴源的摩尔比为1~2:4。本发明提供的制备方法条件温和，工艺流程简单，原材料转化率高，产率较高，有利于商业化生产；制备得到的二氧化钛掺杂ZIF可充分发挥出二氧化钛和ZIF的性能优势，具有颗粒均匀，比表面积大，吸附性好，光催化、气体吸附性能好的优点，在光催化领域展现出潜在的应用前景。

    一种有序、高密度Ag-Al2O3-MoS2纳米结构的制备方法
    9.
    发明公开
    一种有序、高密度Ag-Al2O3-MoS2纳米结构的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN108176393A

    公开(公告)日：2018-06-19

    申请号：CN201711445920.4

    申请日：2017-12-27

    申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院

    发明人： 张璋 ,  胡先标 ,  程鹏飞 ,  周青伟 ,  苏绍强 ,  王新

    IPC分类号： B01J23/28 ,  B82Y40/00

    摘要： 本发明为一种有序、高密度Ag-Al2O3-MoS2纳米结构的制备方法。该方法通过化学气相沉积法在普通光学玻璃片上制备单层二硫化钼；在制备的电阳极氧化铝模板表面热蒸镀一层银纳米薄膜，然后放入原子层沉积腔中保温形成银纳米颗粒并镶嵌在有序排列的氧化铝模板孔洞中，形成有序、高密度的银纳米球阵列；通入气相前驱体，在银纳米颗粒表面沉积一层Al2O3薄膜，得到Ag-Al2O3核壳纳米球阵列结构；取出所得样品，将单层二硫化钼通过湿法转移的方式转移到制备的Ag-Al2O3核壳纳米球阵列结构上，并利用甲苯溶液除去转移时所使用的支撑层聚苯乙烯(PS)，以形成有序、高密度Ag-Al2O3-MoS2纳米结构，并应用于光催化产氢测试。