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公开(公告)号：CN108862397B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810623714.6
申请日：2018-06-15
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
摘要： 本发明涉及一种直接在基底电极上生长均匀的二硒化铼纳米片的方法及修饰电极和应用。所述方法包括如下步骤：S1：加热硒粉至硒粉气化；加热三氧化铼和基底电极，并通入还原性气体；S2：当三氧化铼加热至裂解后，将气化后的硒粉与其混合，继续升温至450~700℃，二硒化铼生长，沉积于所述基底电极上即得；所述硒粉与三氧化铼的质量比为200:1~300:1。本发明通过化学气相沉积方法将二硒化铼直接生长在基底电极上，来作为催化产氢的电极，大大提高了二硒化铼与电极之间的黏附力，同时提高了二硒化铼的催化性。另外，该方法的温度较低，工艺简单。
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公开(公告)号：CN110124691A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910373634.4
申请日：2019-05-07
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
摘要： 本发明公开了一种花粉碳骨架负载生长二硫化铼的制备方法，所述花粉碳骨架负载生长二硫化铼的制备方法包括：称取花粉在乙醇中超声清洗；甲醛修复花粉形貌；浓硫酸预碳化花粉；称取反应前驱体水热反应合成产物；产物分离干燥退火。本发明提供的制备方法制备的花粉碳骨架负载生长二硫化铼具有形貌致密均匀、分层多孔、大比表面积、三维形貌结构的优点，同时碳化后的花粉碳骨架具有良好的导电性、二硫化铼具有良好的光吸收性的特点，因此本发明的材料具有优良的光电性能。本发明的原料花粉廉价易得，所有原料均安全无毒，环境友好且易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111804317A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010574810.3
申请日：2020-06-22
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
IPC分类号： B01J27/185 , B01J35/00 , B01J37/10 , B01J37/28 , C25B11/06
摘要： 本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法：S1、水热法在导电基底表面生长磷化钴纳米线前驱体；S2、S1得到的磷化钴纳米线前驱体经磷化反应得到磷化钴纳米线电催化剂；其中，步骤S1水热法的原料为六水合硝酸钴，尿素和氟化铵，摩尔比为5：20：6。本发明通过水热法和磷化法在导电基底上生长磷化钴纳米线，并用作电催化剂。这种方法极大提升了磷化钴和导电基底的粘附力，有利于电子在基底和电催化剂之间的传输。与此同时，高密度的磷化钴纳米线可以暴露更多的催化活性位点，可以进一步提升其电催化性能。另外，该方法所需温度较低，且制备工艺简单，便于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN108147461B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711449836.X
申请日：2017-12-27
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
摘要： 本发明为一种金字塔型MoS2杀菌材料的制备和应用方法。本发明制备的MoS2金字塔结构结晶性好，这种结构的半导体材料带隙可调，能够利用可见光在溶液里生成强氧化性的活性基团，这些强氧化型的活性基团能够破坏大肠杆菌的细胞壁，从而可以将大肠杆菌杀死，具有高效的杀菌性能。本发明具有操作简单，可重复性好，制备成本低，人工操作安全，可推广到实际应用等特点。
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公开(公告)号：CN108862397A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810623714.6
申请日：2018-06-15
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
摘要： 本发明涉及一种直接在基底电极上生长均匀的二硒化铼纳米片的方法及修饰电极和应用。所述方法包括如下步骤：S1：加热硒粉至硒粉气化；加热三氧化铼和基底电极，并通入还原性气体；S2：当三氧化铼加热至裂解后，将气化后的硒粉与其混合，继续升温至450~700℃，二硒化铼生长，沉积于所述基底电极上即得；所述硒粉与三氧化铼的质量比为200:1~300:1。本发明通过化学气相沉积方法将二硒化铼直接生长在基底电极上，来作为催化产氢的电极，大大提高了二硒化铼与电极之间的黏附力，同时提高了二硒化铼的催化性。另外，该方法的温度较低，工艺简单。
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公开(公告)号：CN108689432A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810580833.8
申请日：2018-06-07
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
IPC分类号： C01G47/00
摘要： 本发明公开了一种在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片的方法。所述方法包括如下步骤：S1.清洗硅基底并进行预处理；S2.在多温区管式炉中，在相邻两个温区各有一个氧化铝舟；其中，两个氧化铝舟的间隔距离为20～30cm，硫源置于上游温区氧化铝舟的中心位置，铼源置于下游温区氧化铝舟的下游边缘，硅基底生长面朝下，其与下游温区氧化铝舟的下游边缘的距离为0～1cm；S3.然后向双温区管式炉中通入惰性气体，加热进行反应，即可在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片。本发明以升华硫为硫源、三氧化铼为铼源，以化学气相沉淀法，通过调整硫源和铼源的距离，以及下游温区中铼源和硅基底的位置，即可在无氧化层的硅基底上直接生长二硫化铼纳米片。
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公开(公告)号：CN110124691B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201910373634.4
申请日：2019-05-07
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
摘要： 本发明公开了一种花粉碳骨架负载生长二硫化铼的制备方法，所述花粉碳骨架负载生长二硫化铼的制备方法包括：称取花粉在乙醇中超声清洗；甲醛修复花粉形貌；浓硫酸预碳化花粉；称取反应前驱体水热反应合成产物；产物分离干燥退火。本发明提供的制备方法制备的花粉碳骨架负载生长二硫化铼具有形貌致密均匀、分层多孔、大比表面积、三维形貌结构的优点，同时碳化后的花粉碳骨架具有良好的导电性、二硫化铼具有良好的光吸收性的特点，因此本发明的材料具有优良的光电性能。本发明的原料花粉廉价易得，所有原料均安全无毒，环境友好且易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108689432B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810580833.8
申请日：2018-06-07
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
IPC分类号： C01G47/00
摘要： 本发明公开了一种在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片的方法。所述方法包括如下步骤：S1.清洗硅基底并进行预处理；S2.在多温区管式炉中，在相邻两个温区各有一个氧化铝舟；其中，两个氧化铝舟的间隔距离为20～30cm，硫源置于上游温区氧化铝舟的中心位置，铼源置于下游温区氧化铝舟的下游边缘，硅基底生长面朝下，其与下游温区氧化铝舟的下游边缘的距离为0～1cm；S3.然后向双温区管式炉中通入惰性气体，加热进行反应，即可在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片。本发明以升华硫为硫源、三氧化铼为铼源，以化学气相沉淀法，通过调整硫源和铼源的距离，以及下游温区中铼源和硅基底的位置，即可在无氧化层的硅基底上直接生长二硫化铼纳米片。
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公开(公告)号：CN108147461A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711449836.X
申请日：2017-12-27
申请人： 肇庆市华师大光电产业研究院
CPC分类号： C01G39/06 , A01N59/16 , C01P2004/42 , C03C17/006 , C03C17/22 , C03C2217/288 , C03C2217/42 , C03C2217/71 , C03C2218/152
摘要： 本发明为一种金字塔型MoS2杀菌材料的制备和应用方法。本发明制备的MoS2金字塔结构结晶性好，这种结构的半导体材料带隙可调，能够利用可见光在溶液里生成强氧化性的活性基团，这些强氧化型的活性基团能够破坏大肠杆菌的细胞壁，从而可以将大肠杆菌杀死，具有高效的杀菌性能。本发明具有操作简单，可重复性好，制备成本低，人工操作安全，可推广到实际应用等特点。
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