公开(公告)号：CN107305881A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610260924.4

申请日：2016-04-25

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 赖国智 ,  许家彰 ,  何念葶 ,  张净云 ,  陈彦臻 ,  周仕旻 ,  张云慈 ,  吕泱儒 ,  萧伟铭 ,  陈威宁

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一线路层、第二线路层和过孔层。第一线路层包括第一导电特征物。第二线路层设置在第一线路层上。第二线路层包括第二导电特征物和第三导电特征物。过孔层设置在第一线路层和第二线路层之间。过孔层包括连接第一导电特征物和第二导电特征物的过孔。存在有位于第一导电特征物和第二导电特征物之间的第一气隙。存在有位于第二导电特征物和第三导电特征物之间的第二气隙。第一气隙和第二气隙相连。

公开(公告)号：CN107305881B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610260924.4

申请日：2016-04-25

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 赖国智 ,  许家彰 ,  何念葶 ,  张净云 ,  陈彦臻 ,  周仕旻 ,  张云慈 ,  吕泱儒 ,  萧伟铭 ,  陈威宁

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一线路层、第二线路层和过孔层。第一线路层包括第一导电特征物。第二线路层设置在第一线路层上。第二线路层包括第二导电特征物和第三导电特征物。过孔层设置在第一线路层和第二线路层之间。过孔层包括连接第一导电特征物和第二导电特征物的过孔。存在有位于第一导电特征物和第二导电特征物之间的第一气隙。存在有位于第二导电特征物和第三导电特征物之间的第二气隙。第一气隙和第二气隙相连。

公开(公告)号：CN106531618B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201510584677.9

申请日：2015-09-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 张云慈 ,  周仕旻 ,  赖国智 ,  张净云 ,  颜湘婕 ,  陈彦臻 ,  吕泱儒 ,  何念葶 ,  许启茂

IPC分类号： H01L21/28

摘要： 本发明公开一种具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法，包括下列步骤。在基底上提供具有相同结构的第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构。第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构分别包括第一型的第一功函数金属层。形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层暴露出第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层且覆盖第二堆叠栅极结构的第一功函数金属层。对图案化硬掩模层所暴露出的第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层进行第一气体处理。第一气体处理所使用的气体包括含氮气体或含氧气体。上述半导体元件的功函数调整方法可通过简易的制作工艺来进行。

公开(公告)号：CN106531618A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510584677.9

申请日：2015-09-15

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 张云慈 ,  周仕旻 ,  赖国智 ,  张净云 ,  颜湘婕 ,  陈彦臻 ,  吕泱儒 ,  何念葶 ,  许启茂

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： 本发明公开一种具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法，包括下列步骤。在基底上提供具有相同结构的第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构。第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构分别包括第一型的第一功函数金属层。形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层暴露出第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层且覆盖第二堆叠栅极结构的第一功函数金属层。对图案化硬掩模层所暴露出的第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层进行第一气体处理。第一气体处理所使用的气体包括含氮气体或含氧气体。上述半导体元件的功函数调整方法可通过简易的制作工艺来进行。