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公开(公告)号:CN102362351A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN200980154359.1
申请日:2009-11-05
申请人: 美商豪威科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14643 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14689
摘要: 一种背照式图像传感器(500)包括设置于绝缘层(604)与电连接至传感器层的电路层之间的传感器层(606)。成像区域包括形成于该传感器层与一横跨该成像区域的阱(800)中的多个光电检测器(616)。该阱可设置于该传感器层的背面与光电检测器之间,或该阱可以是毗邻该传感器层的背面形成的掩埋阱,其包含形成于该光电检测器与掩埋阱之间的区域。一个或多个侧阱可毗邻每一个光电检测器横向地形成。该阱中的掺杂剂具有偏析系数,该偏析系数使该掺杂剂积聚于该传感器层与该绝缘层之间的界面(704)的该传感器层侧上。
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公开(公告)号:CN102362351B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN200980154359.1
申请日:2009-11-05
申请人: 美商豪威科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146
CPC分类号: H01L27/14643 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14689
摘要: 一种背照式图像传感器(500)包括设置于绝缘层(604)与电连接至传感器层的电路层之间的传感器层(606)。成像区域包括形成于该传感器层与一横跨该成像区域的阱(800)中的多个光电检测器(616)。该阱可设置于该传感器层的背面与光电检测器之间,或该阱可以是毗邻该传感器层的背面形成的掩埋阱,其包含形成于该光电检测器与掩埋阱之间的区域。一个或多个侧阱可毗邻每一个光电检测器横向地形成。该阱中的掺杂剂具有偏析系数,该偏析系数使该掺杂剂积聚于该传感器层与该绝缘层之间的界面(704)的该传感器层侧上。
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