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公开(公告)号：CN114995744A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210192753.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本申请涉及加速存储器装置的配置更新。存储器装置的配置设置管理器接收对所述存储器装置的一组配置设置值执行调整操作的请求，其中所述一组配置设置值中的每个配置设置值存储在一组配置寄存器中的对应配置寄存器中；确定与所述一组配置设置值中的一或多个配置设置值相关联的配置调整定义；通过将乘数值应用于所述配置调整定义来计算一组更新的配置设置值，其中所述乘数值与对所述存储器装置执行的编程操作的数量相关联；以及将所述一组更新的配置设置值存储在所述对应配置寄存器中。
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公开(公告)号：CN109727628A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811290472.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 在一些实例中，公开了方法、系统和机器可读媒体，其通过基于读取计数器移位用于读取NAND单元中的值的读取电压来补偿读取干扰效应。例如，NAND存储器装置可以具有与NAND单元的群组(例如，页、块、超级块)对应的读取计数器。无论何时读取所述群组中的NAND单元，都可以递增所述读取计数器。可以基于所述读取计数器调整所述读取电压Vread以考虑读取干扰电压。
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公开(公告)号：CN114995744B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210192753.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本申请涉及加速存储器装置的配置更新。存储器装置的配置设置管理器接收对所述存储器装置的一组配置设置值执行调整操作的请求，其中所述一组配置设置值中的每个配置设置值存储在一组配置寄存器中的对应配置寄存器中；确定与所述一组配置设置值中的一或多个配置设置值相关联的配置调整定义；通过将乘数值应用于所述配置调整定义来计算一组更新的配置设置值，其中所述乘数值与对所述存储器装置执行的编程操作的数量相关联；以及将所述一组更新的配置设置值存储在所述对应配置寄存器中。
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公开(公告)号：CN111247587A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201880067268.3
申请日：2018-08-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明揭示额外设备、系统及方法。
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公开(公告)号：CN111247587B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880067268.3
申请日：2018-08-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明揭示额外设备、系统及方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132258A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210297413.5
申请日：2022-03-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及优化存储电荷损失管理。一种系统包含存储器装置及处理装置，所述处理装置可操作地与所述存储器装置耦合以执行包含以下的操作：接收所述存储器装置的块的一组读取偏移，所述一组读取偏移包括默认读取偏移；基于一或多个准则从所述一组读取偏移选择所述默认读取偏移；将所述默认读取偏移应用到关于所述块执行的读取操作；确定满足与移除所述默认读取偏移相关联的第二组准则；及响应于确定满足所述第二组准则而移除所述默认读取偏移。
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公开(公告)号：CN114649045A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111554708.8
申请日：2021-12-17
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于存储器子系统的工作负载自适应扫描。在一个实施例中，系统维持使存储器装置的多个块中的每一块与对应频率存取群组相关联的元数据，其中每一频率存取群组与对应扫描频率相关联。所述系统确定自从对所述存储器装置的一或多个块执行最后一个扫描操作以来已经过第一预定时间段，其中所述第一预定时间段指定第一扫描频率。所述系统基于所述元数据而从与所述第一扫描频率相关联的第一频率存取群组中选择至少一个块。所述系统对所选择的块执行扫描操作。
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公开(公告)号：CN112053733B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010503747.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明涉及故障敏感存储器页面的选择性加速取样。存储器系统中的处理装置确定所述存储器系统中的存储器页面的敏感度值。所述处理装置基于对应敏感度值将所述存储器页面指派到多个敏感度层中的敏感度层，其中每一敏感度层具有对应敏感度值范围。所述处理装置进一步确定所述多个敏感度层中的每一敏感度层的目标扫描间隔及扫描存储器组件中的多个存储器页面的子集，其中所述子集包括来自每一敏感度层的根据每一敏感度层的对应目标扫描间隔确定的数个存储器页面。
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公开(公告)号：CN115437558A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210625327.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及存储器系统中的对角页映射。接收多个主机数据项，包含第一主机数据项和第二主机数据项。所述第二主机数据项连续地跟在所述第一主机数据项之后。将所述第一主机数据项存储在所述存储器装置的第一逻辑单元的第一页中，其中所述第一页与第一页编号相关联。基于对应于所述存储器装置的每字线页数的偏移值而确定所述第二主机数据项的第二页编号。识别所述存储器装置的第二逻辑单元。将所述第二主机数据项存储在所述第二逻辑单元的第二页中，其中所述第二页由所述第二页编号标识，并且所述第一页和所述第二页与容错条带相关联。
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公开(公告)号：CN115132255A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210293194.3
申请日：2022-03-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及使用存储电荷损失裕度检查进行开放块管理。一种系统包含存储器装置；和处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行包括以下操作的操作：识别已在所述存储器装置的开放块上发生的存储电荷损失SCL的量，所述开放块具有一或多个经擦除页；确定所述SCL量满足与将在所述开放块上发生的可接受SCL量对应的阈值准则；和响应于确定所述SCL量满足所述阈值准则，使所述开放块保持开放以用于编程所述一或多个经擦除页。
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