-
公开(公告)号：CN118899812A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410503279.9
申请日：2024-04-25
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及漏极镇流静电放电保护电路。一种设备包含：第一电压域，其包含经配置以在第一供应电压下操作的第一电路；第二电压域，其包含经配置以在第二供应电压下操作的第二电路；及漏极镇流静电放电ESD保护电路，其经配置以电耦合所述第一电压域及所述第二电压域，所述漏极镇流ESD保护电路包含：第一NMOS晶体管；第二NMOS晶体管；浮动互连件，其将所述第一NMOS晶体管电耦合到所述第二NMOS晶体管；及接地电阻器，其耦合到所述第一NMOS晶体管及所述第二NMOS晶体管。
-
公开(公告)号：CN112310019B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010573855.9
申请日：2020-06-22
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H10B12/00
摘要： 本申请涉及包括用于热管理的石墨烯层的存储器模块和存储器封装。描述了与存储器装置和封装相关的系统、设备和方法。一种诸如双列直插式存储器模块DIMM或其它电子装置封装等的装置可以包括具有石墨烯层的衬底，所述石墨烯层被配置成将热能(例如，热量)从安装或固定至所述衬底的部件传导出去。在一些示例中，DIMM包括最上层或顶层石墨烯，所述最上层或顶层石墨烯暴露于空气中并且被配置成允许将存储器装置(例如，DRAM)的连接件焊接至所述衬底的导电焊盘。石墨烯可以与所述存储器装置的除了与所述导电焊盘的电连接件之外的部分接触，并且因此可以被配置成所述装置的散热器。除了石墨烯之外或者作为石墨烯的替代性方案，可以使用其它薄的导电层。石墨烯可以是其它散热机制的补充。
-
公开(公告)号：CN111630504A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009891.8
申请日：2019-12-19
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明提供一种设备，其包括多个存储器装置和缓冲装置，所述缓冲装置准许以行业标准的存储器模块格式使用具有多种物理尺寸和存储器格式的存储器装置。所述缓冲装置包含存储器接口电路系统和至少一个先进先出FIFO或多路复用器电路。所述设备进一步包括将所述缓冲装置连接到所述多个存储器装置的并行总线。所述并行总线包含多个独立控制线，所述多个独立控制线各自将所述存储器接口电路系统耦合到所述多个存储器装置的多个第一子集中的对应子集。所述并行总线进一步包含多个独立数据信道，所述多个独立数据信道各自将所述至少一个FIFO电路或多路复用器电路耦合到所述多个存储器装置的多个第二子集中的对应子集。
-
-
公开(公告)号：CN112309453B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010602070.X
申请日：2020-06-29
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C7/22 , G06F1/3234
摘要： 描述了用于存储器功率管理的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统。存储器装置或模块可在命令中引入时延以协调在所述装置处的操作或者以改进在所述装置处的定时或功率消耗。举例来说，主机可将命令发布到存储器模块，并且所述存储器模块的组件或特征可接收所述命令并且以对所述主机不可见或非破坏性的方式修改所述命令或其执行的定时同时促进在所述存储器模块处的操作。在一些实例中，可以停用存储器模块的组件或特征以在操作中实现或引入时延而不影响主机装置的定时或操作。存储器模块可在允许不同的时延的不同的模式中操作；时延的使用或引入可能不会影响所述存储器模块的其它特征或操作性。
-
公开(公告)号：CN110444234B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910364982.5
申请日：2019-04-30
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C5/14 , H03K19/086
摘要： 本申请案涉及降低电流模式逻辑CML发射器中的供电噪声。第一电流源可生成CML发射器中包含的第一差分晶体管对的第一偏置电流，且第二电流源可生成第二差分晶体管对的第二偏置电流。基于输入信号的极性，所述第一差分晶体管对可路由所述第一偏置电流通过所述第一差分晶体管对的任一引脚且所述第二差分晶体管对可路由所述第二偏置电流通过所述第二差分晶体管对的任一引脚。基于第一极性，可将所述第二偏置电流路由到接地参考，且基于第二极性，可路由所述第二偏置电流通过所述第一差分晶体管对以修改所述CML发射器内部的负载电流。
-
-
公开(公告)号：CN112310019A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010573855.9
申请日：2020-06-22
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L27/108
摘要： 本申请涉及包括用于热管理的石墨烯层的存储器模块和存储器封装。描述了与存储器装置和封装相关的系统、设备和方法。一种诸如双列直插式存储器模块DIMM或其它电子装置封装等的装置可以包括具有石墨烯层的衬底，所述石墨烯层被配置成将热能(例如，热量)从安装或固定至所述衬底的部件传导出去。在一些示例中，DIMM包括最上层或顶层石墨烯，所述最上层或顶层石墨烯暴露于空气中并且被配置成允许将存储器装置(例如，DRAM)的连接件焊接至所述衬底的导电焊盘。石墨烯可以与所述存储器装置的除了与所述导电焊盘的电连接件之外的部分接触，并且因此可以被配置成所述装置的散热器。除了石墨烯之外或者作为石墨烯的替代性方案，可以使用其它薄的导电层。石墨烯可以是其它散热机制的补充。
-
公开(公告)号：CN112310013A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010627591.0
申请日：2020-07-02
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/108
摘要： 本申请涉及用于存储器模块的管状散热器及并入有所述管状散热器的存储器模块。举例来说，存储器模块可具有：具有边缘连接器的印刷电路板PCB；安置于所述PCB的表面上的多个存储器装置；及沿着与所述边缘连接器相对的所述PCB的边缘安置的管状散热器。所述管状散热器可包括管状部分，所述管状部分在其两端开放以允许冷却气体流过；及两个平面元件，其远离所述管状部分平行地延伸并且经配置以提供与所述存储器模块的摩擦配合。所述平面元件中的每一个可经配置以将热能从所述存储器模块传送到所述管状部分。
-
公开(公告)号：CN110444234A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910364982.5
申请日：2019-04-30
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C5/14 , H03K19/086
摘要： 本申请案涉及降低电流模式逻辑CML发射器中的供电噪声。第一电流源可生成CML发射器中包含的第一差分晶体管对的第一偏置电流，且第二电流源可生成第二差分晶体管对的第二偏置电流。基于输入信号的极性，所述第一差分晶体管对可路由所述第一偏置电流通过所述第一差分晶体管对的任一引脚且所述第二差分晶体管对可路由所述第二偏置电流通过所述第二差分晶体管对的任一引脚。基于第一极性，可将所述第二偏置电流路由到接地参考，且基于第二极性，可路由所述第二偏置电流通过所述第一差分晶体管对以修改所述CML发射器内部的负载电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.023 秒)
