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公开(公告)号：CN104541191B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201380040293.X
申请日：2013-06-18
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: G02B6/4251 , G02B6/12 , G02B6/25 , G02B6/255 , G02B6/262 , G02B6/305 , G02B6/424
Abstract: 本发明揭示在光纤与芯片的光元件之间提供气密密封光连接的方法及使用此类方法制造的光子集成芯片。所述方法需要在等离子体中活化所述光纤的端表面以生成悬键，从而所述悬键促进与所述芯片的表面的耦合。
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公开(公告)号：CN104769716B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201380044708.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·桑胡
IPC: H01L27/06
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/122 , G02B2006/12169 , H01L21/324 , H01L27/0617 , H01L31/02327 , H01L31/1864
Abstract: 所揭示的实施例涉及一种集成电路结构及其形成方法，其中在用于制造含有电子装置的CMOS半导体结构的后端上形成光子装置。使用用于掺杂剂活化的微波退火来形成与所述光子装置相关联的掺杂区域。
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公开(公告)号：CN106098933A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610459395.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683 , H01L45/00
Abstract: 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN102754234B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201080063093.2
申请日：2010-12-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
Abstract: 本发明揭示用于形成包括经掺杂硫属化合物材料的存储器存取装置的自对准制作方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN102171766B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200980138787.5
申请日：2009-09-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种包括压电材料(102)的磁性存储器单元(104、106、108)和操作所述存储器单元的方法。所述存储器单元包括堆叠，且所述压电材料可形成为所述堆叠中的层或邻近于单元堆叠的若干层的层。所述压电材料可用以在所述存储器单元的编程期间引发瞬时应力以减小所述存储器单元的临界切换电流。
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公开(公告)号：CN102067282B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980122694.3
申请日：2009-05-28
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·桑胡
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L27/105 , Y10T29/49146 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
Abstract: 使用具有开放内部体积的模具来界定图案。所述模具具有界定所述内部体积并抑制沉积的顶层、底层和侧壁。所述模具的一端为开放的，且相对端具有用作晶种侧壁的侧壁。将第一材料沉积在所述晶种侧壁上。将第二材料沉积在所述所沉积的第一材料上。所述第一和第二材料的沉积是交替的，从而在所述内部体积中形成所述第一和第二材料的交替行。随后选择性地移除所述模具和晶种层。另外，选择性地移除所述第一或第二材料中的一者，从而形成包括剩余材料的独立行的图案。所述独立行可用作例如集成电路等最终产品中的结构，或可用作硬掩模结构以图案化下伏衬底。所述模具和材料行可形成于多个层级上。不同层级上的所述行可彼此交叉。从所述行中的一些行选择性地移除材料可从开口形成例如接触通孔。
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公开(公告)号：CN104769716A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380044708.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·桑胡
IPC: H01L27/06
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/122 , G02B2006/12169 , H01L21/324 , H01L27/0617 , H01L31/02327 , H01L31/1864
Abstract: 所揭示的实施例涉及一种集成电路结构及其形成方法，其中在用于制造含有电子装置的CMOS半导体结构的后端上形成光子装置。使用用于掺杂剂活化的微波退火来形成与所述光子装置相关联的掺杂区域。
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公开(公告)号：CN104246562A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380007957.2
申请日：2013-01-17
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: G02B6/30 , G02B5/3016 , G02B6/12004 , G02B6/124 , G02B6/2706 , G02B6/34 , G02B6/4221 , G02F1/1393 , G02F1/292 , G02F2001/133638 , G02F2203/24
Abstract: 本发明揭示通过使用一或多个液晶层来将光束从光纤有效地导引到集成于芯片上的光学波导而执行光学对准的装置及系统。芯片上反馈机构可在所述光纤与基于光栅的波导之间导引所述光束以最小化所述系统的插入损耗。
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公开(公告)号：CN101681812B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880018731.1
申请日：2008-05-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·桑胡
IPC: H01L21/033 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 使用自组装材料(例如，嵌段共聚物)作为用于实现间距倍增的心轴(162)。在衬底(110)上方沉积所述共聚物并引导其自组装成所需图案。选择性地移除形成所述嵌段共聚物的嵌段(164)中的一者。将剩余嵌段用作用于实现间距倍增的心轴(162)。在嵌段(162)上方覆盖沉积间隔件材料。所述间隔件材料经受间隔件蚀刻以在所述心轴(162)的侧壁上形成间隔件。选择性地移除所述心轴(162)以留下独立的间隔件。所述间隔件可用作间距倍增的掩模特征以在下伏衬底(110)中界定图案。
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