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公开(公告)号：CN101970354B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN200980108505.7
申请日：2009-03-09
Applicant: 罗地亚管理公司
IPC: C01B33/193
CPC classification number: C01B33/193 , C01B33/12 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及沉淀二氧化硅的制备方法以及沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅由在其表面上存在小二氧化硅初级粒子的大二氧化硅初级粒子的聚集体形成，这些二氧化硅具有：CTAB比表面积(SCTAB)为60‑400m2/g，在超声解附聚之后通过XDC粒度测量法测量的聚集体的d50中位尺寸为：d50(nm)＞(6214/SCTAB(m2/g))+23，孔体积分布为：V(d5‑d50)/V(d5‑d100)＞0.906‑(0.0013xSCTAB(m2/g))，以及孔尺寸分布为：Mode(nm)＞(4166/SCTAB(m2/g))‑9.2。本发明还涉及这些二氧化硅作为聚合物的增强填料的用途。
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公开(公告)号：CN101970354A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108505.7
申请日：2009-03-09
Applicant: 罗地亚管理公司
IPC: C01B33/193
CPC classification number: C01B33/193 , C01B33/12 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及沉淀二氧化硅的制备方法以及沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅由在其表面上存在小二氧化硅初级粒子的大二氧化硅初级粒子的聚集体形成，这些二氧化硅具有：CTAB比表面积(SCTAB)为60-400m2/g，在超声解附聚之后通过XDC粒度测量法测量的聚集体的d50中位尺寸为：d50(nm)＞(6214/SCTAB(m2/g))+23，孔体积分布为：V(d5-d50)/V(d5-d100)＞0.906-(0.0013xSCTAB(m2/g))，以及孔尺寸分布为：Mode(nm)＞(4166/SCTAB(m2/g))-9.2。本发明还涉及这些二氧化硅作为聚合物的增强填料的用途。
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公开(公告)号：CN108002398B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710996971.X
申请日：2009-03-09
Applicant: 罗地亚管理公司
IPC: C01B33/193 , C01B33/12
Abstract: 本发明涉及沉淀二氧化硅的制备方法以及沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅由在其表面上存在小二氧化硅初级粒子的大二氧化硅初级粒子的聚集体形成，这些二氧化硅具有：CTAB比表面积(SCTAB)为60‑400m2/g，在超声解附聚之后通过XDC粒度测量法测量的聚集体的d50中位尺寸为：d50(nm)>(6214/SCTAB(m2/g))+23，孔体积分布为：V(d5‑d50)/V(d5‑d100)>0.906–(0.0013x SCTAB(m2/g))，以及孔尺寸分布为：Mode(nm)>(4166/SCTAB(m2/g))–9.2。本发明还涉及这些二氧化硅作为聚合物的增强填料的用途。
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公开(公告)号：CN108002398A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710996971.X
申请日：2009-03-09
Applicant: 罗地亚管理公司
IPC: C01B33/193 , C01B33/12
CPC classification number: C01B33/193 , C01B33/12 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明涉及沉淀二氧化硅的制备方法以及沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅由在其表面上存在小二氧化硅初级粒子的大二氧化硅初级粒子的聚集体形成，这些二氧化硅具有：CTAB比表面积(SCTAB)为60-400m2/g，在超声解附聚之后通过XDC粒度测量法测量的聚集体的d50中位尺寸为：d50(nm)>(6214/SCTAB(m2/g))+23，孔体积分布为：V(d5-d50)/V(d5-d100)>0.906–(0.0013x SCTAB(m2/g))，以及孔尺寸分布为：Mode(nm)>(4166/SCTAB(m2/g))–9.2。本发明还涉及这些二氧化硅作为聚合物的增强填料的用途。
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