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公开(公告)号:CN110785375A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201880041909.8
申请日:2018-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00 , H01L21/768 , H01L23/00 , H01L23/532 , B81B7/00
Abstract: 本发明建立键合垫层系统(1)、气体传感器和用于耐高温的键合垫层系统(1)的制造方法。键合垫层系统(1)沉积在作为基底的半导体芯片、例如微机械半导体芯片(11)上,在该微机械半导体芯片中集成有由介电层(13、14)组成的至少一个悬置的介电膜片、铂印制导线(10)和由铂制成的加热件(15)。在此,首先进行钽层(6)的沉积,在该钽层上进行第一铂层(5)的沉积,在该第一铂层上进行氮化钽层(4)的沉积,在该氮化钽层上进行第二铂层(3)的沉积,并且在该第二铂层上进行金层(2)的沉积,其中,在金层(2)中构造用于与键合线(8a)连接的至少一个键合垫(8)。键合垫(8)基本上位于半导体芯片(11)上的接触孔(9)的区域中和/或位于该区域外部,在该区域中借助于环形接触部实现引导至加热件(15)的铂印制导线(10)的连接。