公开(公告)号：CN118958013A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411199421.1

申请日：2024-08-29

Applicant: 绍兴乾雍纺织有限公司 ,  浙江理工大学 ,  现代纺织技术创新中心(鉴湖实验室)

Inventor： 萧兴水 ,  王龙飞 ,  李家炜 ,  邱先周 ,  徐敏 ,  戚栋明

IPC: D06P1/52 ,  D06P1/653 ,  D06P1/649 ,  D06P5/30 ,  D06P3/24 ,  C08F251/00 ,  C08F220/56 ,  C08F8/44

Abstract: 本发明公开了一种锦纶所用的阳离子型生物基环保浆料的制备方法及应用，首先合成了季铵盐阳离子改性剂；然后对锦纶织物进行上浆处理，引入季铵盐基团等正性基团，降低纤维与染料分子之间的静电斥力；最后应用于锦纶织物喷墨印花。本发明通过合理调控功能性锦纶‑浆料‑墨滴之间的表界面性质，减少锦纶织物表面上的墨水渗化，提高色彩鲜艳度和花型精细度，减少数码印花喷墨过程中的墨水用量，达到节能减排的效果，能满足规模化生产优异锦纶及功能性锦纶织物产品的应用。

公开(公告)号：CN100588738C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710164825.7

申请日：2007-12-25

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 杜平凡 ,  席珍强 ,  王龙成 ,  徐敏 ,  汪新颜 ,  姚剑

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/02 ,  F02F5/00 ,  F16J9/26

Abstract: 本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理；再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中，系统抽真空至5×10-3Pa，以硅烷和氨气为反应气源，在硅烷流量15～45sccm、硅烷和氨气流量比1/2～1/4、沉积温度300～500℃、射频功率90～150W的条件下，沉积10～30min停止，在活塞环的上表面和侧面得到氮化硅膜层；自然冷却后取出。所得氮化硅膜层活塞环的表面硬度可达900-1400HV，明显高于普通镀铬产品800HV的硬度。膜层良好的耐蚀耐磨性能和自润滑特性，可有效提高活塞环的使用性能，改善工作稳定性，延长寿命。该方法克服了传统镀铬活塞环能耗大、污染严重、工艺复杂等弊端。

公开(公告)号：CN100529212C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710070442.3

申请日：2007-08-01

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 杜平凡 ,  王勇 ,  姚奎鸿 ,  席珍强 ,  汪新颜 ,  徐敏

IPC: D01H7/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅涂层钢领的制备方法。在平面钢领的工作面上均匀沉积一层氮化硅涂层。制备方法是先对钢领工作面进行抛光和清洗处理；再将钢领放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中，沉积面朝上，系统抽至真空，以硅烷和氨气为反应气源，在硅烷流量10～30sccm、硅烷和氨气流量比1/2～1/6、沉积温度300～600℃、射频功率80～150W的条件下，沉积10～30min停止；自然冷却，得到氮化硅涂层钢领。由于氮化硅涂层良好的耐磨和润滑性能，钢领几乎无需走熟期便可使用；钢领性能稳定、使用寿命长；有效降低纱线毛羽和断头，提高了纺纱效率，节约了生产成本。

公开(公告)号：CN101301600A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810063628.0

申请日：2008-06-30

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 杜平凡 ,  席珍强 ,  姚剑 ,  徐敏 ,  姚晓辉 ,  姚奎鸿

IPC: B01J19/24

Abstract: 本发明公开了一种往复式高温合成装置。在左右两根钢架上安装工作台，工作台上安装导轨，加热炉能在导轨上作左右往复移动，工作台的两端分别装有炉管的支撑架，两个结构相同的炉管内分别设置能拆装的反应管，两个炉管的外侧出口端均安装密封法兰，在接近密封端的炉管外焊有水冷夹套，工作台内装有真空管道，其两端分别经阀门与各自的炉管连通，两个炉管上均接有真空压力表，真空管道接气氛控制系统，温控系统与装在加热炉内的热电偶连接。水冷夹套的引入，对炉管密封圈起到了保护作用，使其寿命延长，减小了更换频率；可以使合成在真空或保护气氛中进行，保证了产物质量；炉体往复式的设计特点，实现了合成过程的准连续化，提高了合成效率。

公开(公告)号：CN101245444A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810061233.7

申请日：2008-03-18

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 席珍强 ,  徐敏 ,  杜平凡 ,  姚剑

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/513 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种碳氮化硅薄膜的制备方法。采用N2稀释的SiH4气体(SiH4浓度10％)作为Si源和N源，以高纯CH4为C源，按不同流量比、射频功率、沉积温度制备出具有不同成分比的SiCxNy膜。制备SiCxNy膜所需的Si源和N源采用SiH4气体(SiH4浓度10％)，比采用SiH4，CH4，N2三路气体或采用混合气体SiH4－CH4－NH3－H2作为Si源和N源，降低了成本，简化了气路连接，而且采用稀释成低浓度的硅烷气体更安全，经济，易操作。本发明所制备的SiCxNy膜可应用于半导体工业及太阳电池产业。

公开(公告)号：CN101838932A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010159062.9

申请日：2010-04-23

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 邵建中 ,  徐敏 ,  戚栋明 ,  柴丽琴 ,  周岚

IPC: D06M13/467 ,  D06M13/463 ,  D06M101/06

Abstract: 本发明属于染整技术领域，涉及一种提高棉织物阳离子化改性均匀性的方法，处理工艺步骤如下：(1)用含有反应性基团和阳离子基团的改性剂配制成改性液，将棉织物置入改性液中，升温至85～95℃，保温20～30分钟；(2)将步骤(1)得到的混合物体系降温至30～40℃，加入烧碱使其在溶液中的浓度达到0.5～1g/L，反应20～30分钟，将棉织物取出水洗。该双温改性工艺，使阳离子改性剂在高温中性条件下扩散和匀化，在低温强碱条件下与棉纤维反应结合，从而可减少改性剂在高温碱性条件下的水解损失和反应速率过快造成的改性不均匀，或避免改性剂在低温条件下改性匀透性差的问题。

公开(公告)号：CN100540730C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200810061233.7

申请日：2008-03-18

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 席珍强 ,  徐敏 ,  杜平凡 ,  姚剑

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/513 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种碳氮化硅薄膜的制备方法。采用N2稀释的SiH4气体(SiH4浓度10%)作为Si源和N源，以高纯CH4为C源，按不同流量比、射频功率、沉积温度制备出具有不同成分比的SiCxNy膜。制备SiCxNy膜所需的Si源和N源采用SiH4气体(SiH4浓度10%)，比采用SiH4，CH4，N2三路气体或采用混合气体SiH4-CH4-NH3-H2作为Si源和N源，降低了成本，简化了气路连接，而且采用稀释成低浓度的硅烷气体更安全，经济，易操作。本发明所制备的SiCxNy膜可应用于半导体工业及太阳电池产业。

公开(公告)号：CN101510576A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910096750.2

申请日：2009-03-16

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 席珍强 ,  杜平凡 ,  徐敏 ,  姚剑

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/048

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公布了一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，步骤如下：将采用PECVD双面沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片放在氮气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，或在空气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，冷却后拿出。本发明采用热处理时间短、加热速度快以及更易精确控制的快速热处理工艺对沉积有非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片进行热处理，有效地提高了非晶氢化碳氮化硅薄膜的钝化性能。

公开(公告)号：CN101182129A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710156483.4

申请日：2007-11-01

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 席珍强 ,  徐敏 ,  杜平凡 ,  姚剑

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法。在普通平板玻璃基底一个表面或二个表面上镀有一层氮化硅薄膜，形成相间的彩虹条纹。其生产方法是采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀氮化硅膜，镀出的氮化硅膜在玻璃表面形成彩色相间的条纹，并可以随着PECVD工艺参数的变化，发生明暗以及颜色变化。该方法制备氮化硅彩虹玻璃，不需采用复杂的掩膜或光栅工艺，操作简单。同时氮化硅膜硬度高、化学稳定，增强玻璃表面的耐磨性能的同时提高了玻璃的抗腐蚀性。因此可广泛用于装修、广告等一系列装璜工艺。

公开(公告)号：CN101161857A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710156874.6

申请日：2007-11-15

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 杜平凡 ,  徐敏 ,  席珍强 ,  姚剑

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种铝合金表面处理方法。先对铝合金表面抛光，清洗再在普通铝合金基底上采用PECVD法沉积一层氮化硅薄膜，沉积过程采用的参数，温度为100～500℃，射频功率为20～150W，沉积时间为5～60min，SiH4/NH3流量比为4∶1～1∶30。氮化硅膜覆盖在铝合金表面，由于氮化硅耐腐蚀性强、硬度高、抗高温能力强、色泽亮丽，有效阻止了外界对铝合金的腐蚀，从而提高其耐腐蚀性；另外，相比于表面喷漆处理，沉积氮化硅膜有效提高了铝合金表面抗高温性、抗腐蚀性能，且氮化硅膜与合金表面结合良好，不易脱落，并且可以根据膜厚的不同呈现不同的颜色，提高铝合金的美观度。