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公开(公告)号：CN112992726A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011458403.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 细美事有限公司
Inventor： 高定奭 , 李在晟 , 林度延 , 金局生 , 郑暎大 , 金泰信 , 李智暎 , 金源根 , 郑智训 , 金光燮 , 许弼覠 , 史允基 , 延蕊林 , 尹铉 , 金度延 , 徐溶晙 , 金昺槿 , 严永堤
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了用于蚀刻薄层的方法和设备，所述薄层包括形成在基板上的氮化硅。在所述基板上供应包括磷酸和水的蚀刻剂，使得在所述基板上形成液层。通过在所述薄层和所述蚀刻剂的反应来蚀刻所述薄层。测量所述液层的厚度，以在蚀刻所述薄层的同时检测所述液层的所述厚度的变化。基于所述液层的所述厚度的所述变化来计算所述磷酸和所述水的浓度的变化。基于所述磷酸和所述水的所述浓度的所述变化在所述基板上供应水，使得所述磷酸和所述水的所述浓度变为预定值。
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公开(公告)号：CN112201589A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010609507.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置在处理容器设有导电性部件，导电性部件由具有比处理容器的材质小的电阻的材质形成，从而能够在液体处理工艺中抑制基于带电现象的处理容器的电位增大，由此能够防止基板被粒子、静电弧光等损伤。
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公开(公告)号：CN112750721B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011109697.8
申请日：2020-10-16
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 公开一种基板处理装置以及基板处理方法。本发明的实施例的基板处理装置的特征在于，包括：基板支承单元；药液供应单元，用于将药液供应于被所述基板支承单元支承的基板上面；激光照射单元，用于将激光照射于基板而加热基板；以及控制部，控制成激光照射单元照射激光脉冲，从而反复加热及冷却基板。
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公开(公告)号：CN113053777B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202011343448.5
申请日：2020-11-26
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及基板加热单元、基板处理装置以及基板处理方法。在处理基板时，将具有均匀化的能量分布的第一光束(整体均匀形态的平顶激光束)和具有边缘区域被强化的能量分布的第二光束(边缘强化形态的平顶激光束)中一个光束选择性地提供于基板，从而既能够将基板加热到整体均匀的温度，也能够在基板的边缘区域的温度相对低情况下最小化基板的温度偏差。
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公开(公告)号：CN113066737B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011458413.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻薄层的装置，包括：蚀刻剂供给单元，其构成为于基板上供给蚀刻剂以蚀刻形成在所述基板上的薄层；温度测量单元，其构成为在通过所述蚀刻剂执行蚀刻过程时测量所述基板的温度；激光照射单元，其构成为在包含所述基板的中央部分的第一部分上照射第一激光束，并且在围绕所述第一部分的第二部分上以环形照射第二激光束，从而在蚀刻过程中将所述基板的温度保持于预定温度；以及过程控制单元，其构成为基于由所述温度测量单元所测量的所述基板的温度来控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率，以减小所述基板的所述第一部分和所述第二部分之间的温度差。
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公开(公告)号：CN113053777A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011343448.5
申请日：2020-11-26
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及基板加热单元、基板处理装置以及基板处理方法。在处理基板时，将具有均匀化的能量分布的第一光束(整体均匀形态的平顶激光束)和具有边缘区域被强化的能量分布的第二光束(边缘强化形态的平顶激光束)中一个光束选择性地提供于基板，从而既能够将基板加热到整体均匀的温度，也能够在基板的边缘区域的温度相对低情况下最小化基板的温度偏差。
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公开(公告)号：CN117476453A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310223050.5
申请日：2023-03-08
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种处理基板的设备和方法，其中处理基板的方法包括:蚀刻剂供应操作，以向基板供应蚀刻剂；浸置操作，以通过第一转速旋转所述基板，使提供至所述基板的蚀刻剂的液膜形成水坑状；及厚度调整操作，改变所述基板的转速至不同于所述第一转速的转速，以调整所述蚀刻剂的液膜的厚度。使用所述方法，可以有效地控制蚀刻速率的离散性。
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公开(公告)号：CN116364595A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211698270.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供了一种用于处理基板的设备，所述设备包括：具有处理空间的室；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间内支撑和旋转基板；液体供应单元，所述液体供应单元向支撑在基板支撑单元上的基板供应化学液体；激光照射单元，所述激光照射单元将激光照射到支撑在基板支撑单元上的基板的底部；以及激光反射单元，所述激光反射单元联接到所述激光照射单元并将照射并反射的激光反射到基板的底部，其中所述激光反射单元包括反射构件和驱动构件，所述反射构件反射从基板反射的激光，所述驱动构件使所述反射构件以预定的倾斜角倾斜。
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公开(公告)号：CN114188239A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110855238.2
申请日：2021-07-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/268
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备和基板处理方法，该基板处理设备包括第一工艺腔室组，该第一工艺腔室组包括多个工艺腔室，每个工艺腔室包括将激光光束施用至基板以加热基板的激光光束发射单元；一个激光光束发生器，该一个激光光束发生器通过包括在第一工艺腔室组中的多个工艺腔室中的每个工艺腔室的激光光束发射单元产生施用至基板的激光光束；以及光束移动模块，该光束移动模块包括对应于包括在第一工艺腔室组中的多个工艺腔室的一个或多个镜。一个或多个镜中的每个镜被移动到镜形成激光光束的朝向多个工艺腔室中的预定的一个工艺腔室的光路的位置。
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