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公开(公告)号:CN106935268B
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN201511015036.8
申请日:2015-12-31
申请人: 紫光同芯微电子有限公司
IPC分类号: G11C16/30
摘要: 本发明涉及一种非易失性存储器双电源管理电路;所述非易失性存储器双电源管理电路,采用容性负载电路和非容性负载电路,其中,容性负载电路单独供电,其电源与非容性负载电路相隔离开,其中,容性负载电路的外部电源为经过升压处理操作的电源,非容性负载电路为其他静态功耗较大的电路提供电源;容性负载电路和非容性负载电路的电源隔离开来,互不干扰,即便是在外部电源电压较低等极限情况下,也能保证对电源电压稳定性要求较高且是容性负载电路这一路电源的稳定性,从而提高非易失性存储器的操作稳定性。
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公开(公告)号:CN109994135B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN201711472067.5
申请日:2017-12-29
申请人: 紫光同芯微电子有限公司
IPC分类号: G11C5/14
摘要: 本发明提供了一种正负压电荷泵稳压电路,所述正负压电荷泵稳压电路包括正压电荷泵、第一建立时间控制电路、负压电荷泵、第二建立时间控制电路、误差放大器、与非门、电阻、负压储能电容、正压储能电容和地线GND;本发明的正负压电荷泵稳压电路将0V作为参考电压,不需特定电路产生参考电压,因此,正压电荷泵的输出正压VPOS的电压确定后,负压电荷泵的输出负压VNEG的电压值也随之确定,而且,负压电荷泵和正压电荷泵达到建立稳定值的时间相等,因而,正负压电荷泵稳压电路稳定性很好,该压差值在高低温的电压值保持稳定,并且,整个测试修调过不需要测试负压VNEG的电压值,因而测试设备的兼容性很好,能有效节省测试成本。
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公开(公告)号:CN118899016A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202411176513.8
申请日:2024-08-26
申请人: 紫光同芯微电子有限公司
摘要: 本发明公开了一种闪存芯片的读电压钳位电路。闪存芯片的读电压钳位电路,包括:启动电路、基准电流源以及读电压环路反馈电路;启动电路与基准电流源以及读电压环路反馈电路连接,启动电路用于开启基准电流源且在基准电流源开启后自关断,启动电路还用于控制基准电流源摆脱简并点;基准电流源与读电压环路反馈电路连接,读电压环路反馈电路与闪存阵列连接,基准电流源用于产生基准电流,读电压环路反馈电路用于根据基准电流产生读电压。本发明可以为闪存芯片提供小离散范围的位线读电压,保证读出数据的准确性以及读时序。
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公开(公告)号:CN118658503A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410928423.3
申请日:2024-07-11
申请人: 紫光同芯微电子有限公司
摘要: 本申请公开了一种灵敏放大器及存储器,涉及存储器领域,本申请通过将第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接第一NMOS管源极,将第一NMOS管栅极连接第二PMOS管漏极,将第一NMOS管漏极连接电源,将第一NMOS管源极经提供固定电流的镜像电流源接地,使第二PMOS管导通所需的栅极电位为第二PMOS管的漏极所需电位与第一NMOS管阈值电压的差,基于此,在第二PMOS管的漏极所需电位保持不变时,本申请降低了第一PMOS管和第二PMOS管所需的栅极电位,从而降低了第一PMOS管和第二PMOS管源极电位需求,即降低了灵敏放大器正常工作所需的电源电压,扩大了存储器中灵敏放大器在低电压条件下的使用范围。
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公开(公告)号:CN106933285B
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:CN201511011611.7
申请日:2015-12-30
申请人: 紫光同芯微电子有限公司
IPC分类号: G05F1/56
摘要: 本发明提供一种线性稳压电路,包含:预稳压电路、升压电路、电压转换控制电路、比较器、误差放大器、功率器件和分压电路;所述预稳压电路为升压电路提供电源,升压电路提供控制转换中所需的高压;在外部输入信号VCC>EVOUT+VTH时,EVOUT为输出信号VOUT的预期输出信号值,电压转换控制电路将误差放大器的输出信号传输至功率器件的栅极,作为一个传统的HDO工作;当外部输入信号VCC≤EVOUT+VTH时,电压转换控制电路将升压电路上的高压信号传输至功率器件的栅极,使功率器件高效的传输;针对不同的外部输入信号VCC,电压转换控制电路实现不同模式的切换,实现输出稳定电压信号。
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公开(公告)号:CN207743226U
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201721779548.6
申请日:2017-12-19
申请人: 紫光同芯微电子有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H05F3/00 , H03K19/003
摘要: 本实用新型公开了一种新的静电放电保护I/O电路,所述静电放电保护I/O电路包括ESD保护器件、I/O输出驱动电路、I/O逻辑电路、电源钳位电路和局部ESD缓冲电路,ESD保护器件包括P型ESD器件和N型ESD器件。本实用新型新加入局部ESD缓冲电路,使得整体静电放电保护I/O电路的静电放电保护性能在不增加面积的情况下,还得到有效地提高。
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