公开(公告)号：CN101595568B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880003389.8

申请日：2008-01-28

Applicant: 索尼株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 野本和正 ,  平井畅一 ,  安田亮一 ,  八木岩 ,  三成刚生 ,  塚越一仁 ,  青柳克信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7-2)和第一栅极绝缘膜(7-1)。

公开(公告)号：CN101595568A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003389.8

申请日：2008-01-28

Applicant: 索尼株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 野本和正 ,  平井畅一 ,  安田亮一 ,  八木岩 ,  三成刚生 ,  塚越一仁 ,  青柳克信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7－1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7－1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7－2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7－1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7－2)和第一栅极绝缘膜(7－1)。

公开(公告)号：CN101752403B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910224390.X

申请日：2009-12-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平井畅一

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L21/82 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本申请公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：下电极，每个下电极具有光反射性第一金属材料层和设置在第一金属材料层上的第二金属材料层，第二金属材料层具有比第一金属材料层好的碱性溶液抗耐性；绝缘图案，其由光敏成分材料形成，具有开口部分以暴露下电极，并且覆盖下电极的外围；有机层，每个有机层至少包括有机发光层，并且有机层设置在开口部分中以便覆盖下电极；以及光透射性上电极，其被设置为与下电极一起将有机层夹在中间。

公开(公告)号：CN101752403A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910224390.X

申请日：2009-12-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平井畅一

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L21/82 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本申请公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：下电极，每个下电极具有光反射性第一金属材料层和设置在第一金属材料层上的第二金属材料层，第二金属材料层具有比第一金属材料层好的碱性溶液抗耐性；绝缘图案，其由光敏成分材料形成，具有开口部分以暴露下电极，并且覆盖下电极的外围；有机层，每个有机层至少包括有机发光层，并且有机层设置在开口部分中以便覆盖下电极；以及光透射性上电极，其被设置为与下电极一起将有机层夹在中间。

公开(公告)号：CN101714611A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204448.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平井畅一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、和电子设备。该薄膜晶体管包括由有机材料、氧化物材料或基于硅的材料形成的绝缘层；通过使用导电性氧化物材料而设置在绝缘层上的源电极和漏电极；覆盖绝缘层、源电极和漏电极的暴露表面的自组织膜；和设置在从源电极到漏电极之上且在设置有自组织膜的绝缘层上的半导体薄膜。