公开(公告)号：CN1134606A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN95121537.X

申请日：1995-11-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 玉村好司 ,  塚本弘范 ,  长井政春 ,  池田昌夫

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  H01S3/18

CPC classification number: C30B25/16 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过采用本发明方法可确定化合物半导体层的临界薄膜厚度，并能够制造一种具有最佳薄膜厚度的化合物半导体层的半导体器件，该半导体器件具有优良的发射性能。通过测量来确定化合物半导体层的薄膜厚度与对应于该薄膜厚度的荧光(PL)之间的关系，将PL达到峰值时的薄膜厚度定为临界薄膜厚度。所述化合物半导体层由至少包括镉的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体层构成。