公开(公告)号：CN1819178A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006161.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 驹井尚纪 ,  金村龙一 ,  大冈丰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 此处公开的是具有改进的耐电迁移性的半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：层间绝缘膜，形成在第一金属线上；第二金属线，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成；金属接触，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成，用于连接在所述第一金属线和所述第二金属线之间；第一覆层，形成在所述第一金属线与所述金属接触之间；和阻隔金属层，形成在所述第二金属线与所述层间绝缘膜之间，用于防止在所述第二金属线中的金属扩散。