公开(公告)号：CN1819178A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006161.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 驹井尚纪 ,  金村龙一 ,  大冈丰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 此处公开的是具有改进的耐电迁移性的半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：层间绝缘膜，形成在第一金属线上；第二金属线，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成；金属接触，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成，用于连接在所述第一金属线和所述第二金属线之间；第一覆层，形成在所述第一金属线与所述金属接触之间；和阻隔金属层，形成在所述第二金属线与所述层间绝缘膜之间，用于防止在所述第二金属线中的金属扩散。

公开(公告)号：CN100442474C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200610153697.1

申请日：2006-09-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大冈丰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76873 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 这里公开了一种半导体器件的制造方法，其包括的步骤有：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成金属掩模；通过蚀刻所述金属掩模和所述层间绝缘膜在所述金属掩模和所述层间绝缘膜内形成图案沟增；在所述层间绝缘膜上形成导电层，以填充所述图案沟槽；以及对所述层间绝缘膜上的多余导电层和所述金属掩模进行抛光，从而使所述导电层保留在所述图案沟槽内。

公开(公告)号：CN1933124A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610153697.1

申请日：2006-09-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大冈丰

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76873 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 这里公开了一种半导体器件的制造方法，其包括的步骤有：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成金属掩模；通过蚀刻所述金属掩模和所述层间绝缘膜在所述金属掩模和所述层间绝缘膜内形成图案沟槽；在所述层间绝缘膜上形成导电层，以填充所述图案沟槽；以及对所述层间绝缘膜上的多余导电层和所述金属掩模进行抛光，从而使所述导电层保留在所述图案沟槽内。