公开(公告)号：CN100592534C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN03800999.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 牧村真悟 ,  桥本诚 ,  大川善郎 ,  和田智宏 ,  片冈一典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。

公开(公告)号：CN1554123A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03800999.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 牧村真悟 ,  桥本诚 ,  大川善郎 ,  和田智宏 ,  片冈一典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。